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THz-Quantenkaskadenlaser

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Prof. Holger T. GrahnPaul-Drude-Institut für Festkörperelektronik

GaN-Kristalle hoher Qualität

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Zur Herstellung effizienter und langlebiger, blau-violetter Laserdioden werden möglichst kostengünstige GaN-Substrate in hoher Materialqualität benötigt. Als Alternative zum Wachstum auf…

Entwicklung kostengünstiger Aufbautechniken für die Anwendung in 77 GHz Automotive Cruise Control Systemen

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Radar-Systeme im 77 GHz-Bereich sind in den letzten Jahren zu einem zentralen Bestandteil in modernen Automobilen geworden, die den Fahrkomfort und die Fahrsicherheit erhöhen. Ein wesentlicher…

Chips, Laser & Co.: Winzige Alleskönner für Medizin, Kommunikation und Weltraum

/termine/chips-laser-co-winzige-alleskoenner-fuer-medizin-kommunikation-und-weltraum

Vortrag von Prof. Dr. Günther Tränkle im Rahmen der Reihe "Schülerinnen-Uni" des Projekts GET-IT! der TU Berlin.

Diode pumped solid-state lasers in the near infrared and visible spectral region

/termine/diode-pumped-solid-state-lasers-in-the-near-infrared-and-visible-spectral-region

Diode pumped solid-state lasers in the near infrared and visible spectral region Prof. Günter HuberUniversität Hamburg 10.12.2010 (in Englisch)

AlGaN/GaN-Mikrowellentransistoren: Gezielte Optimierung von Linearität und Wirkungsgrad

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Die Linearität von AlGaNGaN-Heterojunction-Feldeffekttransistoren ist eine der Schlüsseleigenschaften, die diese Bauelemente für den Einsatz in Hochfrequenzschaltkreisen moderner…

THz-Spektroskopie mit cw-Strahlungsquellen

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THz-Spektroskopie mit cw-Strahlungsquellen Prof. Dr. Heinz-Wilhelm HübersDeutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt (DLR), BerlinInstitut für Planetenforschung 18.02.2011

Wirkungsgradverbesserung von Leistungsverstärkern

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Wirkungsgradverbesserung von Leistungsverstärkern Prof. Reinhard KnöchelUniversität Kiel 11.02.2011

THz-Sensorik und -Bildgebung mit CMOS-Transistoren

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THz-Sensorik und -Bildgebung mit CMOS-Transistoren Prof. Hartmut RoskosGoethe-Universität Frankfurt/Main 04.02.2011

Hochleistungsdiodenlaserverstärker

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Hochleistungsdiodenlaserverstärker Xiaozhuo WangFerdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik 26.11.2010