Suche

Sie suchen eine Publikation? Bitte nutzen Sie die spezielle Suchfunktion. Die allgemeine Suche liefert keine Ergebnisse aus wissenschaftlichen Veröffentlichungen.

Suchergebnisse 1791 bis 1800 von 1861

Lange Nacht der Wissenschaften

/termine/lange-nacht-der-wissenschaften

Auch in diesem Jahr gibt es wieder ein umfangreiches Programm - der Schwerpunkt liegt dieses Mal auf Reinraum- und Laborführungen mit verschiedenen thematischen Ausrichtungen für Kinder (ab 8 / 12…

nm and THz III-V transistors: scaling laws and state density limits

/termine/nm-and-thz-iii-v-transistors-scaling-laws-and-state-density-limits

nm and THz III-V transistors: scaling laws and state density limits Prof. Mark RodwellUniversity of California, Santa Barbara, USA 27.05.2011 (in Englisch)

UV-Photodetektoren auf Basis von AlGaN/GaN-Heterostrukturen für optische Schalter

/forschung/forschungsnews/uv-photodetektoren-auf-basis-von-algangan-heterostrukturen-fuer-optische-schalter

Durch ihre Unempfindlichkeit für sichtbare Strahlung (Solarblindheit) und hohe Strahlungsfestigkeit sind GaN-basierte UV-Photodetektoren für verschiedene Anwendungen attraktiv. Am FBH wurden solche…

Universaltalente: Leistungsstarke Lasermodule im Streichholzformat

/media-center/presseinformationen/universaltalente-leistungsstarke-lasermodule-im-streichholzformat

Das FBH stellt auf der Laser World of Photonics seine miniaturisierten Laser­strahlquellen in den Mittelpunkt, die sich für eine Vielzahl von Anwendungen eignen, von der Materialbearbeitung bis zur…

How to miniaturize a complete millimeter wave system

/termine/how-to-miniaturize-a-complete-millimeter-wave-system

How to miniaturize a complete millimeter wave system Prof. Thomas ZwickKarlsruher Institut für Technologie (KIT) 20.05.2011 (in Englisch)

Chipmontagetechnologie für UV-LEDs entwickelt

/forschung/forschungsnews/chipmontagetechnologie-fuer-uv-leds-entwickelt

Die Arbeiten zu UV-LEDs konzentrierten sich bislang auf die Optimierung der epitaktischen Schichtstrukturen. Anhand von UV-LEDs (Wellenlänge ca. 320 nm) wurde nun eine Technologie…

A SiGe analog receiver frontend for ultra-high-rate, short-range 60 GHz communication systems

/termine/a-sige-analog-receiver-frontend-for-ultra-high-rate-short-range-60-ghz-communication-systems

A SiGe analog receiver frontend for ultra-high-rate, short-range 60 GHz communication systems Prof. Hermann SchumacherUniversität Ulm 13.05.2011 (in Englisch)

Mikrostrukturierte Optik für neuartige Laserresonatoren

/termine/mikrostrukturierte-optik-fuer-neuartige-laserresonatoren

Mikrostrukturierte Optik für neuartige Laserresonatoren Hans-Christoph EcksteinFraunhofer-Institut für Angewandte Optik und Feinmechanik Jena 06.05.2011

Weiterentwicklung der Load-Pull Charakterisierung von Mikrowellen-Leistungstransistoren: Messungen mit modulierten Signalen

/forschung/forschungsnews/weiterentwicklung-der-load-pull-charakterisierung-von-mikrowellen-leistungstransistoren-messungen-mit-modulierten-signalen

Mikrowellen-Leistungsverstärker für die Informationstechnologie müssen breitbandige Signale mit einem hohen Verhältnis von Spitzen- zu Durchschnittsleistung verstärken. Dabei muss ein Kompromiss…

Selbstsperrende GaN-Hochspannungstransistoren mit kohlenstoffdotiertem GaN-Puffer

/forschung/forschungsnews/selbstsperrende-gan-hochspannungstransistoren-mit-kohlenstoffdotiertem-gan-puffer

Die am FBH entwickelte p-GaN-Gate-Technologie für selbstsperrende GaN-Transistoren verbindet niedrige Leckströme im ausgeschalteten mit geringen Leitungswiderständen im eingeschalteten Zustand.…