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3D Elektromagnetische Simulation unerlässlich für das Design von Höchstfrequenz-CMOS-Schaltungen
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Passive Elemente und periphere Effekte haben einen signifikanten Einfluss auf Millimeterwellen-Schaltungen, die mithilfe von High-End-CMOS-Prozessen hergestellt werden. Die elektromagnetischen…
Epitaktisches laterales Überwachsen strukturierter AlN/Saphir Templates für UV-Emittter
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Der Vortrag fällt leider aus.
FBH auf der Photonics West
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Auf der weltweit führenden Fachmesse für Optik und Photonik ist das FBH mit zahlreichen Vorträgen und Postern vertreten.
Prof. Dr.-Ing. Wolfgang Heinrich als Präsident der European Microwave Association wiedergewählt
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Wolfgang Heinrich, übernimmt zum Januar 2012 für weitere drei Jahre die Präsidentschaft der European Microwave Association (EuMA). Im Januar 2010 war er erstmalig gewählt worden…
Kinetics of the catastrophic optical damage in diode lasers
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Kinetics of the catastrophic optical damage in diode lasers Dr. Jens TommMax-Born-Institut, Berlin 10.02.2012 (in Englisch)
Optische Uhren
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Optische Uhren Prof. Piet O. SchmidtQUEST Institute for Experimental Quantum Metrology PTB and Leibniz University of Hannover, Braunschweig 03.02.2012
Neu an der TU Berlin: (HR)TEM und Elektronenholographie an Halbleiter-Nanostrukturen photonischer Bauelemente
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Neu an der TU Berlin: (HR)TEM und Elektronenholographie an Halbleiter-Nanostrukturen photonischer Bauelemente Prof. Michael LehmannTechnische Universität Berlin, Berlin 27.01.2012
Investigation of the LED heterostructure and the optical polarization of UV LEDs
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Investigation of the LED heterostructure and the optical polarization of UV LEDs Tim KolbeTechnische Universität Berlin, Berlin 06.01.2012 (in Englisch)
Winterpause Insitutskolloquium
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Winterpause Insitutskolloquium Während der Weihnachtsfeiertage finden am FBH keine Institutskolloquien statt.
Selbstsperrende GaN-Schalttransistoren mit niedrigem Einschaltwiderstand
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GaN-basierte Hochspannungsschalttransistoren ermöglichen besonders effiziente Leistungskonverter. Am FBH wurden jetzt selbstsperrende 300 V GaN-Transistoren entwickelt mit nur 80 mW…