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Reduzierter dynamischer Einschaltwiderstand für GaN-Leistungstransistoren
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GaN-basierte Hochspannungsschalttransistoren ermöglichen besonders effiziente Leistungskonverter. Wegen der geringen Verluste pro Schaltzyklus können sie bei höheren Frequenzen betrieben werden als…
Siliziumkarbid-Fotodioden mit höchster Zuverlässigkeit zur Detektion ultravioletter Strahlung
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Eine wachsende Anzahl von Anwendungen zur Detektion von UV-Strahlung erfordert Detektorsysteme mit höchster Zuverlässigkeit und Langzeitstabilität. In einem gemeinsamen Projekt von FBH, IKZ und…
Strahlcharakterisierung für die Singlemodefaser-Kopplung von Trapezlasern
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Trapezlaser sind für den industriellen Einsatz hoch attraktiv. Jedoch muss der Laserstrahl dazu sehr effizient in Glasfasern (Singlemodefasern) eingekoppelt werden. Die Einkoppelbarkeit kann…
Quantenmechanik in eisiger Kälte
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Das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) arbeitet im EU-Verbundprojekt iSense am Prototyp eines tragbaren, integrierten Quantensensors, der auf ultrakalten…
Hinter Gittern – mehr Brillanz für rote Laser
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Rotes Laserlicht kommt in verschiedenen Bereichen zum Einsatz: mit ihnen lassen sich Entfernungen sehr exakt messen, holografische Bilder erzeugen oder bestimmte Spektroskopie-Messungen durchführen.…
Messung der Wafertemperatur auf GaN/Saphir mit neuentwickeltem in-situ Sensor
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Zunehmend werden für GaN-LEDs Saphir-Substrate größeren Durchmessers verwendet, die sich während des Wachstumsprozesses bis zu einige 100 µm durchbiegen. Dies beeinflusst die Wafertemperatur…
German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices
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Japanese-German Center Berlin
International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
/termine/international-symposium-on-semiconductor-light-emitting-devices
Symposium zu GaN-, ZnSe- und ZnO basierten Halbleitermaterialien und ihren optoelektronischen Eigenschaften und Anwendungen
Polarisationsdotierung in nitridischen Bauelementen
/termine/polarisationsdotierung-in-nitridischen-bauelementen
Polarisationsdotierung in nitridischen Bauelementen Dr. Joachim PiprekNUSOD Institute, Newark, USA 22.06.2012
GaN-Quantendrähte für die Photovoltaik
/termine/gan-quantendraehte-fuer-die-photovoltaik
leider entfällt dieser Vortrag - er findet vermutlich im Herbst statt