Suche
Sie suchen eine Publikation? Bitte nutzen Sie die spezielle Suchfunktion. Die allgemeine Suche liefert keine Ergebnisse aus wissenschaftlichen Veröffentlichungen.
MNE 2011 in Berlin
/termine/mne-2011-in-berlin
Branchentreff der Prozesstechnologie - 37. Internationale Konferenz Micro and Nano Engineering.
Miniaturisierte Diodenlaser mit externem Resonator, die bei 633 nm emittieren – ideale Quellen für die absolute Abstandsinterferometrie und Atomspektroskopie
/forschung/forschungsnews/miniaturisierte-diodenlaser-mit-externem-resonator-die-bei-633-nm-emittieren-ideale-quellen-fuer-die-absolute-abstandsinterferometrie-und-atomspektroskopie
Für interferometrische Messung und die Atomspektroskopie wurde am FBH ein mikrointegrierter durchstimmbarer Diodenlaser im externen Resonator (ECDL) mit einem reflektierenden Volumen-Bragg-Gitter…
GaN-HFETs mit hohen Strömen und hoher Durchbruchspannung mit Si-dotierter AlGaN-Barriere unter dem Kanal
/forschung/forschungsnews/gan-hfets-mit-hohen-stroemen-und-hoher-durchbruchspannung-mit-si-dotierter-algan-barriere-unter-dem-kanal
Mit einer dünnen n-dotierten AlGaN-Schicht unter dem Kanal konnten FBH-Wissenschaftler das Verhältnis von Einschaltwiderstand zu Durchbruchspannung bei GaN-HFETs deutlich verbessern.
OpTecBB begrüßt sein 100. Mitglied
/media-center/presseinformationen/optecbb-begruesst-sein-100-mitglied
Mit dem renommierten Technologieunternehmen First Sensor AG begrüßt OpTecBB sein 100. Mitglied. Das Kompetenznetz Optische Technologien ist zugleich das mitgliederstärkste Netzwerk für…
AlN-Schichten mit geringer Defektdichte für UV-Leuchtdioden
/forschung/forschungsnews/aln-schichten-mit-geringer-defektdichte-fuer-uv-leuchtdioden
Dem FBH ist es gelungen, durch laterales Überwachsen von strukturierten AlN-Schichten die Versetzungsdichte im AlN um mehr als eine Größenordnung zu reduzieren. Damit können Schichten mit einer…
Neuer THz On-Wafer-Messplatz erlaubt Messungen von Frequenzen bis 500 GHz
/forschung/forschungsnews/neuer-thz-on-wafer-messplatz-erlaubt-messungen-von-frequenzen-bis-500-ghz
Das FBH hat ein neues halbautomatisches System zur On-Wafer-Charakterisierung für 500-GHz-Messungen beschafft. Das Messgerät bietet damit beste Voraussetzungen für die On-Wafer-Charakterisierung im…
Wide band gap semiconductors
/termine/wide-band-gap-semiconductors
Wide band gap semiconductors Prof. Dr. Guoyi ZhangPeking University, Beijing, China 15.07.2011 (in Englisch)
Laterale Hochvolt-GaN-Schottkydioden für schnelle Leistungsschalter
/forschung/forschungsnews/laterale-hochvolt-gan-schottkydioden-fuer-schnelle-leistungsschalter
Hocheffiziente elektrische Leistungskonverter sind eine der Voraussetzungen für umweltfreundliche elektronische Systeme. Dafür hat das FBH Schottkydioden mit lateraler Topologie entwickelt, die die…
Lasergestützte Herstellung von vertikalen Durchkontaktierungen für AlGaN/GaN-Leistungstransistoren
/forschung/forschungsnews/lasergestuetzte-herstellung-von-vertikalen-durchkontaktierungen-fuer-algangan-leistungstransistoren
Mit der wachsenden Integrationsdichte in elektronischen Bauelementen kommt der vertikalen Integration eine Schlüsselrolle zu. Vertikale elektrische Kontakte (VIAs), die durch das Substrat bis zur…
Growth and characterization of III-nitride nanowires
/termine/growth-and-characterization-of-iii-nitride-nanowires
Growth and characterization of III-nitride nanowires Dr. Raffaella CalarcoPaul-Drude-Institut, Berlin 24.06.2011 (in Englisch)