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Neu an der TU Berlin: (HR)TEM und Elektronenholographie an Halbleiter-Nanostrukturen photonischer Bauelemente
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Neu an der TU Berlin: (HR)TEM und Elektronenholographie an Halbleiter-Nanostrukturen photonischer Bauelemente Prof. Michael LehmannTechnische Universität Berlin, Berlin 27.01.2012
Investigation of the LED heterostructure and the optical polarization of UV LEDs
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Investigation of the LED heterostructure and the optical polarization of UV LEDs Tim KolbeTechnische Universität Berlin, Berlin 06.01.2012 (in Englisch)
Winterpause Insitutskolloquium
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Winterpause Insitutskolloquium Während der Weihnachtsfeiertage finden am FBH keine Institutskolloquien statt.
Selbstsperrende GaN-Schalttransistoren mit niedrigem Einschaltwiderstand
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GaN-basierte Hochspannungsschalttransistoren ermöglichen besonders effiziente Leistungskonverter. Am FBH wurden jetzt selbstsperrende 300 V GaN-Transistoren entwickelt mit nur 80 mW…
Grundsteinlegung für Erweiterungsbau der Jenoptik Diode Lab
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Jenoptik erweitert seine Fertigungskapazitäten in Berlin. Im Beisein von rund 80 geladenen Gäste aus Wirtschaft, Politik und Industrie, legten Georg Schütte, Staatssekretär im Bundesministerium für…
European Microwave Week-Preis für FBH-Publikation
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Wissenschaftler des FBH wurden auf der European Microwave Week im Oktober für ihr Paper zur Kalibrierung und Modellierung von Koplanarleitungen im W-Band ausgezeichnet.
Mikroresonatoren für Anwendungen in der Sensorik, Analytik, Laser-Messtechnik und optischen Telekommunikation
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Monolithische Mikroresonatoren zeichnen sich durch ihre sehr geringe Größe und ihre extrem hohe optische Güte aus. Das macht sie für Anwendungen in der optischen Signalverarbeitung und Sensorik …
Staatssekretär Schütte zu Besuch am FBH
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Georg Schütte, Staatssekretär im Bundesministerium für Bildung und Forschung, lässt sich hybride Diodenlasersysteme des FBH zeigen. Die streichholzgroßen Module werden in der Materialbearbeitung,…
Rote Laser erreichen mittlere Betriebsdauer von 10 Jahren bis zum Ausfall
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Rote Breitstreifenlaser des FBH (100 µm x 1,5 mm) erreichen bei 15°C eine Ausgangsleistung von 2,5 W bei einem Konversionswirkungsgrad von 35%. Aus Alterungstests über 20.000 Stunden lässt…
InP-Chips auf Si-Träger (HITEK-Projekt)
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InP-Chips auf Si-Träger (HITEK-Projekt) Dr. Marco LiskerIHP Frankfurt/Oder 16.12.2011