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Interne DBR-Gitter in rot emittierenden Halbleiterlasern
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Interne DBR-Gitter in rot emittierenden Halbleiterlasern David FeiseFerdinand-Braun-Institut, Berlin 27.04.2012
Diodenlaser als Pumpquellen für Alkali-Gaslaser (DPAL)
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Diodenlaser als Pumpquellen für Alkali-Gaslaser (DPAL) Dr. Heiko KisselDILAS Diodenlaser GmbH, Mainz 20.04.2012
Pause Institutskolloquien
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Während der vorlesungsfreien Zeit finden in der Regel keine Seminare statt
Novel pump-sources for compact ultrafast lasers
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Novel pump-sources for compact ultrafast lasers Andreas StinglFemtolasers Produktions GmbH, Wien 13.04.2012 (in Englisch)
High-energy diode pumped solid state lasers: new tools for fundamental science and real-world applications
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High-energy diode pumped solid state lasers: new tools for fundamental science and real-world applications Dr. Klaus ErtelSTFC Rutherford Appleton Laboratory, Didcot, UK 23.03.2012 (in Englisch)
24-GHz-CMOS-VCO für Lokalisierungszwecke
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Im Rahmen des Projektes "Low-power Wireless Sensor Network with Localization" wurde ein phasenrauscharmer Oszillator entwickelt. Er erzeugt das Radarsignal in Lokalisierungsbausteinen, die…
Moderne Halbleitertechnologie: von nah-infraroten Lasermodulen bis UV-Leuchtdioden
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Anlässlich der Fachmesse Laser Optics Berlin präsentiert das FBH unter dem Funkturm ausgewählte Lasermodule und Leuchtdioden. Das Hauptaugenmerk liegt auf kompakten, hybrid-integrierten…
Neues Analytiktool am FBH
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Am FBH wurde ein leistungsfähiges Analytik-Tool in Betrieb genommen. Das System zur Charakterisierung von Degradationsprozessen wurde mit verschiedenen Systemen zur Analyse der strukturellen und…
Epitaktisches laterales Überwachsen strukturierter AlN/Saphir Templates für UV-Emittter
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Epitaktisches laterales Überwachsen strukturierter AlN/Saphir Templates für UV-Emittter Viola KüllerFerdinand-Braun-Institut, Berlin 17.02.2012
Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) von AlGaN
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Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) von AlGaN Sylvia HagedornFerdinand-Braun-Institut, Berlin 20.01.2012