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Jenoptik erweitert auf Grund hoher Kundennachfrage die Laser-Fertigung am Standort Berlin
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Der Jenoptik-Konzern wird rund 10 Mio Euro in die Erweiterung der Fertigung von Laserbarren im Technologiepark Berlin-Adlershof investieren - in unmittelbarer Nähe zum Forschungspartner FBH. Die…
Hochtechnologie auf Weltraum-Reise
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Wenn Mitte 2012 der Kommunikationssatellit Alphasat in eine geostationäre Umlaufbahn geschossen wird, ist auch ein Stück Hightech aus dem Ferdinand-Braun-Institut mit an Bord. Die Europäische…
OpTecBB-Vorstand mit großer Mehrheit bestätigt
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Die Mitgliederversammlung des Kompetenznetzes OpTecBB hat seinen Vorstand mit großer Mehrheit bestätigt. Vorstandsvorsitzender wurde erneut Günther Tränkle vom Ferdinand-Braun-Institut; neu im…
Sensorstreifen für neuartige Röntgendetektoren
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Erst kürzlich hat das FBH eine neue Generation direkt wandelnder Zeilensensoren erfolgreich demonstriert. GaAs-Sensoren wandeln dabei Röntgenphotonen mit einer lateralen Auflösung von 100 µm je…
Vielfältige Karrierewege - spannende Berufsperspektiven
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Infos zur Ausbildung in der Mikrotechnologie auf den Bildungsmessen Einstieg Abi und Parentum in Berlin.
Energieeffizienz durch Mikrosystemtechnik - Jetzt anmelden und weiterbilden!
/termine/energieeffizienz-durch-mikrosystemtechnik-jetzt-anmelden-und-weiterbilden
Die 6. ZEMI Summerschool zeigt die Potenziale der Mikrosystemtechnik für die Energieerzeugung, -verteilung und -nutzung anhand konkreter Anwendungen. Interessierte können sich bis zum 19.08.2011…
MNE 2011 in Berlin
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Branchentreff der Prozesstechnologie - 37. Internationale Konferenz Micro and Nano Engineering.
Miniaturisierte Diodenlaser mit externem Resonator, die bei 633 nm emittieren – ideale Quellen für die absolute Abstandsinterferometrie und Atomspektroskopie
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Für interferometrische Messung und die Atomspektroskopie wurde am FBH ein mikrointegrierter durchstimmbarer Diodenlaser im externen Resonator (ECDL) mit einem reflektierenden Volumen-Bragg-Gitter…
GaN-HFETs mit hohen Strömen und hoher Durchbruchspannung mit Si-dotierter AlGaN-Barriere unter dem Kanal
/forschung/forschungsnews/gan-hfets-mit-hohen-stroemen-und-hoher-durchbruchspannung-mit-si-dotierter-algan-barriere-unter-dem-kanal
Mit einer dünnen n-dotierten AlGaN-Schicht unter dem Kanal konnten FBH-Wissenschaftler das Verhältnis von Einschaltwiderstand zu Durchbruchspannung bei GaN-HFETs deutlich verbessern.
OpTecBB begrüßt sein 100. Mitglied
/media-center/presseinformationen/optecbb-begruesst-sein-100-mitglied
Mit dem renommierten Technologieunternehmen First Sensor AG begrüßt OpTecBB sein 100. Mitglied. Das Kompetenznetz Optische Technologien ist zugleich das mitgliederstärkste Netzwerk für…