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Messung der Wafertemperatur auf GaN/Saphir mit neuentwickeltem in-situ Sensor
/forschung/forschungsnews/messung-der-wafertemperatur-auf-gansaphir-mit-neuentwickeltem-in-situ-sensor
Zunehmend werden für GaN-LEDs Saphir-Substrate größeren Durchmessers verwendet, die sich während des Wachstumsprozesses bis zu einige 100 µm durchbiegen. Dies beeinflusst die Wafertemperatur…
German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices
/termine/german-japanese-spanish-joint-workshop-on-frontier-photonics-and-electronic-materials-and-devices
Japanese-German Center Berlin
International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
/termine/international-symposium-on-semiconductor-light-emitting-devices
Symposium zu GaN-, ZnSe- und ZnO basierten Halbleitermaterialien und ihren optoelektronischen Eigenschaften und Anwendungen
Polarisationsdotierung in nitridischen Bauelementen
/termine/polarisationsdotierung-in-nitridischen-bauelementen
Polarisationsdotierung in nitridischen Bauelementen Dr. Joachim PiprekNUSOD Institute, Newark, USA 22.06.2012
GaN-Quantendrähte für die Photovoltaik
/termine/gan-quantendraehte-fuer-die-photovoltaik
leider entfällt dieser Vortrag - er findet vermutlich im Herbst statt
International Symposium on Growth of Nitrides
/termine/international-symposium-on-growth-of-nitrides
Besuchen Sie uns auf der Tagung zu Wachstum von Gruppe III-Nitriden
High-Power Semiconductor Laser - IEEE Sommer Topical
/termine/high-power-semiconductor-laser-ieee-sommer-topical
Co-Chair, Keynote Speaker und zwei eingeladene Vorträge - die diesjährige IEEE-Sommerschule startet mit starker FBH-Beteiligung.
Laser spectroscopy and miniature atomic frequency standards
/termine/laser-spectroscopy-and-miniature-atomic-frequency-standards
Laser spectroscopy and miniature atomic frequency standards Prof. Gaetano MiletiUniversité de Neuchâtel, Schweiz 08.06.2012
GaN-HEMTs in Envelope-Tracking-Systemen für die Telekommunikation
/forschung/forschungsnews/gan-hemts-in-envelope-tracking-systemen-fuer-die-telekommunikation
Hauptenergieverbraucher in Mobilfunk-Basisstationen sind die Mikrowellen-Leistungsverstärker, die bei den modernen Modulationsverfahren oft in einem effizienzmäßig ungünstigen Betriebszustand…
Forschung, die unter die Haut geht
/media-center/presseinformationen/forschung-die-unter-die-haut-geht
Die Einstein Stiftung Berlin fördert das interdisziplinäre Forschungsvorhaben "HautScan". Mit dabei ist auch das Ferdinand-Braun-Institut.