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Pause Institutskolloquien
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Während der vorlesungsfreien Zeit finden in der Regel keine Seminare statt
Novel pump-sources for compact ultrafast lasers
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Novel pump-sources for compact ultrafast lasers Andreas StinglFemtolasers Produktions GmbH, Wien 13.04.2012 (in Englisch)
High-energy diode pumped solid state lasers: new tools for fundamental science and real-world applications
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High-energy diode pumped solid state lasers: new tools for fundamental science and real-world applications Dr. Klaus ErtelSTFC Rutherford Appleton Laboratory, Didcot, UK 23.03.2012 (in Englisch)
24-GHz-CMOS-VCO für Lokalisierungszwecke
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Im Rahmen des Projektes "Low-power Wireless Sensor Network with Localization" wurde ein phasenrauscharmer Oszillator entwickelt. Er erzeugt das Radarsignal in Lokalisierungsbausteinen, die…
Moderne Halbleitertechnologie: von nah-infraroten Lasermodulen bis UV-Leuchtdioden
/media-center/presseinformationen/moderne-halbleitertechnologie-von-nah-infraroten-lasermodulen-bis-uv-leuchtdioden
Anlässlich der Fachmesse Laser Optics Berlin präsentiert das FBH unter dem Funkturm ausgewählte Lasermodule und Leuchtdioden. Das Hauptaugenmerk liegt auf kompakten, hybrid-integrierten…
Neues Analytiktool am FBH
/forschung/forschungsnews/neues-analytiktool-am-fbh
Am FBH wurde ein leistungsfähiges Analytik-Tool in Betrieb genommen. Das System zur Charakterisierung von Degradationsprozessen wurde mit verschiedenen Systemen zur Analyse der strukturellen und…
Epitaktisches laterales Überwachsen strukturierter AlN/Saphir Templates für UV-Emittter
/termine/epitaktisches-laterales-ueberwachsen-strukturierter-alnsaphir-templates-fuer-uv-emittter-1
Epitaktisches laterales Überwachsen strukturierter AlN/Saphir Templates für UV-Emittter Viola KüllerFerdinand-Braun-Institut, Berlin 17.02.2012
Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) von AlGaN
/forschung/forschungsnews/hydrid-gasphasenepitaxie-hvpe-von-algan
Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) von AlGaN Sylvia HagedornFerdinand-Braun-Institut, Berlin 20.01.2012
GaN-Laserdioden mit niedriger Schwelle
/forschung/forschungsnews/gan-laserdioden-mit-niedriger-schwelle
GaN-basierte Laserdioden sind derzeit nur für eine begrenzte Anzahl von Wellenlängen kommerziell verfügbar. Das FBH hat nun gemeinsam mit Partnern begonnen, Laserdioden für Anwendungen in der…
Trapezlasermodul bei 636 nm mit > 500 mW für die Displaytechnologie
/forschung/forschungsnews/trapezlasermodul-bei-636-nm-mit-500-mw-fuer-die-displaytechnologie
Das FBH hat eine Laserstrahlquelle entwickelt, die >500 mW Leistung bei einer Wellenlänge von 636 nm emittiert. Das Modul bietet einen nahezu beugungsbegrenzten, kollimierten Strahl. …