Suche
Sie suchen eine Publikation? Bitte nutzen Sie die spezielle Suchfunktion. Die allgemeine Suche liefert keine Ergebnisse aus wissenschaftlichen Veröffentlichungen.
Siliziumkarbid-Fotodioden mit höchster Zuverlässigkeit zur Detektion ultravioletter Strahlung
/forschung/forschungsnews/siliziumkarbid-fotodioden-mit-hoechster-zuverlaessigkeit-zur-detektion-ultravioletter-strahlung
Eine wachsende Anzahl von Anwendungen zur Detektion von UV-Strahlung erfordert Detektorsysteme mit höchster Zuverlässigkeit und Langzeitstabilität. In einem gemeinsamen Projekt von FBH, IKZ und…
Strahlcharakterisierung für die Singlemodefaser-Kopplung von Trapezlasern
/forschung/forschungsnews/strahlcharakterisierung-fuer-die-singlemodefaser-kopplung-von-trapezlasern
Trapezlaser sind für den industriellen Einsatz hoch attraktiv. Jedoch muss der Laserstrahl dazu sehr effizient in Glasfasern (Singlemodefasern) eingekoppelt werden. Die Einkoppelbarkeit kann…
Quantenmechanik in eisiger Kälte
/media-center/presseinformationen/quantenmechanik-in-eisiger-kaelte
Das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) arbeitet im EU-Verbundprojekt iSense am Prototyp eines tragbaren, integrierten Quantensensors, der auf ultrakalten…
Hinter Gittern – mehr Brillanz für rote Laser
/media-center/presseinformationen/hinter-gittern-mehr-brillanz-fuer-rote-laser
Rotes Laserlicht kommt in verschiedenen Bereichen zum Einsatz: mit ihnen lassen sich Entfernungen sehr exakt messen, holografische Bilder erzeugen oder bestimmte Spektroskopie-Messungen durchführen.…
Messung der Wafertemperatur auf GaN/Saphir mit neuentwickeltem in-situ Sensor
/forschung/forschungsnews/messung-der-wafertemperatur-auf-gansaphir-mit-neuentwickeltem-in-situ-sensor
Zunehmend werden für GaN-LEDs Saphir-Substrate größeren Durchmessers verwendet, die sich während des Wachstumsprozesses bis zu einige 100 µm durchbiegen. Dies beeinflusst die Wafertemperatur…
German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices
/termine/german-japanese-spanish-joint-workshop-on-frontier-photonics-and-electronic-materials-and-devices
Japanese-German Center Berlin
International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
/termine/international-symposium-on-semiconductor-light-emitting-devices
Symposium zu GaN-, ZnSe- und ZnO basierten Halbleitermaterialien und ihren optoelektronischen Eigenschaften und Anwendungen
Polarisationsdotierung in nitridischen Bauelementen
/termine/polarisationsdotierung-in-nitridischen-bauelementen
Polarisationsdotierung in nitridischen Bauelementen Dr. Joachim PiprekNUSOD Institute, Newark, USA 22.06.2012
GaN-Quantendrähte für die Photovoltaik
/termine/gan-quantendraehte-fuer-die-photovoltaik
leider entfällt dieser Vortrag - er findet vermutlich im Herbst statt
International Symposium on Growth of Nitrides
/termine/international-symposium-on-growth-of-nitrides
Besuchen Sie uns auf der Tagung zu Wachstum von Gruppe III-Nitriden