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Schnelles und effizientes Schalten mit GaN-Leistungstransistoren
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Das FBH entwickelt selbstsperrende, auf der p-GaN Gate-Technologie basierende GaN-Transistoren. Mit 150 mm Gateweite wurden Schalttransistoren realisiert, die bei 300 V Sperrfähigkeit einen…
III-V-Halbleiter-Nanodrähte für den Einsatz in effizienten Solarzellen und Lichtemittern
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III-V-Halbleiter-Nanodrähte für den Einsatz in effizienten Solarzellen und Lichtemittern Prof. Franz-Josef TegudeUniversität Duisburg-Essen 23.11.2012
Grüne Diodenlasersysteme für biomedizinische Anwendungen
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Grüne Diodenlasersysteme für biomedizinische Anwendungen André MüllerDTU, Dänemark 16.11.2012
Rot-emittierende Diodenlaser mit schmaler Linienbreite
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Schmalbandige Rot-emittierende Diodenlaser sind eine attraktive Alternative zu He-Ne-Lasern, die derzeit in der Metrologie und der Raman Spektroskopie zum Einsatz kommen. Erst kürzlich haben…
Leistungsverteilung in GaN-Leistungstransistoren
/termine/leistungsverteilung-in-gan-leistungstransistoren
Leistungsverteilung in GaN-Leistungstransistoren Frank SchniederFerdinand-Braun-Institut, Berlin 26.10.2012
Pause Institutskolloquien
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Pause Institutskolloquien Während der vorlesungsfreien Zeit finden am FBH in der Regel keine Institutskolloquien statt. Neue Termine kündigen wir rechtzeitig an dieser Stelle an. bis Mitte Oktober…
European Microwave Week
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Europe’s Premier Microwave, RF, Wireless and Radar Event
International Workshop on Nitride Semiconductors
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International Workshop
Pumpquellen für Nd:YAG Festkörperlaser - Technologie und Herausforderungen für die Weltraumkommunikation der Zukunft
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Pumpquellen für Nd:YAG Festkörperlaser - Technologie und Herausforderungen für die Weltraumkommunikation der Zukunft Karl HäuslerFerdinand-Braun-Institut, Berlin 19.10.2012
Optimierte Multifinger-Transistoren für Millimeterwellen-Leistungsverstärker
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Am FBH wurden Arbeiten durchgeführt, mit denen die Ausgangsleistung von Verstärkern im Millimeterwellen-Bereich erhöht werden soll. Dazu wurden 4-, 6- und 8-Finger-Transistoren entwickelt, die…