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FBH bereits zum vierten Mal für Familienfreundlichkeit ausgezeichnet
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Erneut wurde das FBH für seine familienfreundlichen Maßnahmen vom Bezirk Treptow-Köpenick ausgezeichnet. Bezirksbürgermeister Oliver Igel überreichte den ersten Preis am 6. September in der…
Leistungsstarke brillante Strahlquellen: "Truncated" optische Halbleiter-Trapezverstärker verbessern MOPA-Systeme
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Ideale Halbleiterlaser-Lichtquellen vereinen hohe optische Leistungen im Wattbereich mit beugungsbegrenzter Strahlqualität und spektral stabilisierter, schmalbandiger Emission. Jede diesbezügliche…
Resonant-tunnelling diodes for THz applications
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Resonant-tunnelling diodes for THz applications Dr. Michael FeiginovTU Darmstadt 07.09.2012
Microintegrated extended cavity diode laser
/termine/microintegrated-extended-cavity-diode-laser-1
Microintegrated extended cavity diode laser Erdenetsetseg LuvsandamdinFerdinand-Braun-Institut, Berlin 21.09.2012
Flexible und effiziente Mikrowellen-Leistungsverstärker für Mobilfunkbasisstationen der Zukunft
/forschung/forschungsnews/flexible-und-effiziente-mikrowellen-leistungsverstaerker-fuer-mobilfunkbasisstationen-der-zukunft
Am FBH wurde ein GaN-basierter Klasse-D-Verstärker in H-Brücken-Topologie für das 900 MHz Band entwickelt und aufgebaut. Er erreicht eine Spitzeneffizienz von 50% und eine maximale…
X-Top Conference
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11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging
Electron Microscopy Congress
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Conference on light and electron microscopy and spectroscopy across both the life and physical sciences, along with scanning probe and flow cytometry techniques.
Hochleistungslaserdioden aus Berlin auf der MST-Sommeruni
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Die Summer School des Zentrums für Mikrosystemtechnik (ZEMI) in Berlin bietet fünf Tage lang Trends und aktuelle Entwicklungen aus Mikrosystemtechnik und Optoelektronik. Mit beteiligt ist auch das…
Zukunftsperspektive Mikrosystemtechnik
/termine/zukunftsperspektive-mikrosystemtechnik
Zukunftsperspektive Mikrosystemtechnik - die 7. ZEMI Summer School bietet Weiterbildung in verschiedenen Berliner Forschungseinrichtungen und Unternehmen. Bewerbungsschluss: 03.08.2012
Reduzierter dynamischer Einschaltwiderstand für GaN-Leistungstransistoren
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GaN-basierte Hochspannungsschalttransistoren ermöglichen besonders effiziente Leistungskonverter. Wegen der geringen Verluste pro Schaltzyklus können sie bei höheren Frequenzen betrieben werden als…