Epitaxie von III/V-Halbleitern
Der Workshop, veranstaltet von der Deutschen Gesellschaft für Kristallzüchtung und Kristallwachstum e.V., deckt das gesamte Spektrum der III/V-Halbleiterverbindungen inklusive der Nitride sowie der Ankopplung an Fremdsubstrate ab. Das FBH ist mit mehreren Vorträgen vertreten:
- Growth of thick AlxGa1-xN layers on sapphire by hydride vapor phase epitaxy
- Effect of carrier gas on the optical and structural properties of GaN
- Einfluss der Oberflächenmorphologie von AlN/Saphir-Templates auf strukturelle und optische Eigenschaften von AlGaN/AlGaN-Quantenfilmen
- GaN-Quantenpunktwachstum auf (0001)
- AlN MOVPE growth of AlGaN-based deep UV LEDs
Konferenz: 05.-06.12.2013, Ilmenau