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ASM GaN: New Industry Standard Compact Model for GaN RF and Power Devices
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ASM GaN: New Industry Standard Compact Model for GaN RF and Power Devices Prof. Sourabh KhandelwalMacquarie University, Sydney
Breakthrough in neutron backscattering spectroscopy: A tenfold enhanced energy resolution using GaAs
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Breakthrough in neutron backscattering spectroscopy: A tenfold enhanced energy resolution using GaAs Dr. Kristijan KuhlmannFriedrich-Alexander University Erlangen-Nürnberg and Institut…
Miniaturized laser modules for picosecond pulses up to 2.5 W peak power in the yellow spectral range
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Ps pulsed laser sources emitting in the yellow spectral range are requested for applications in life sciences. The FBH has developed very compact diode laser modules, including a 560 nm module…
Selbst ausbilden - aber wie?
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Das Aus- und Weiterbildungsnetzwerk Hochtechnologie (ANH Berlin) berät Unternehmen beim Einstieg in die duale Ausbildung.
Oral Presentation Award
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Der gemeinsame Vortrag von PTB, Rohde & Schwarz und FBH mit dem Titel "Establishing Traceability for On-Wafer S-Parameter Measurements of Membrane Technology Devices up to 110 GHz" wurde auf der…
Digitale Holografie mit mehreren Wellenlängen: Grundprinzip und Vorteile für den Zahnarzt
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Digitale Holografie mit mehreren Wellenlängen: Grundprinzip und Vorteile für den Zahnarzt Dr. Alexander KnüttelVOCO GmbH
Photonik statt Gin Tonic!
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Große Resonanz bei der zweiten Ausbildungs-Allianz-Adlershof am 19. Juni – die Veranstaltung bietet Schülerinnen und Schülern Einblicke in wenig bekannte Berufe wie etwa den/die Mikrotechnolog*in am…
Wellenlängenstabilisierte Grundmode Laser für Hochleistungsanwendungen
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Wellenlängenstabilisierte Grundmode Laser für Hochleistungsanwendungen Martin WilkensFerdinand-Braun-Institut
Simulationen von Breitstreifenlasern basierend auf einem Wanderwellenmodell
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Simulationen von Breitstreifenlasern basierend auf einem Wanderwellenmodell Anissa ZeghussiFerdinand-Braun-Institut
Review of bias-temperature instabilities at the III-N/dielectric interface
/termine/review-of-bias-temperature-instabilities-at-the-iii-ndielectric-interface
Review of bias-temperature instabilities at the III-N/dielectric interface Dr. Clemens OstermaierInfineon Technologies AG