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Application examples of WBG technologies from SiC Power Center projects and research at RISE Acreo
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Application examples of WBG technologies from SiC Power Center projects and research at RISE Acreo Mietek BakowskiResearch Institutes of Sweden, RISE ICT/Acreo
Physik-Studienpreis der Physikalischen Gesellschaft zu Berlin
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Gleich zwei Doktoranden des FBH werden mit dem diesjährigen Physik-Studienpreis der PGzB für ihr Masterstudium ausgezeichnet.
MIMIRAWE – Modulares MIMO Millimeter-Wellen-Radar für Weltraumanwendungen
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MIMIRAWE – Modulares MIMO Millimeter-Wellen-Radar für Weltraumanwendungen Michael HrobakFerdinand-Braun-Institut
THz GaN Detektoren
/termine/thz-gan-detektoren
THz GaN Detektoren Adam RämerFerdinand-Braun-Institut
Regionale Auftaktveranstaltung "Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland"
/termine/regionale-auftaktveranstaltung-forschungsfabrik-mikroelektronik-deutschland
Auftaktveranstaltung der Berlin-Brandenburger Partnerinstitute der "Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland" mit Frau Bundesministerin Johanna Wanka - mit Anmeldung.
Extrem vielseitig – FBH bietet maßgeschneiderte Diodenlaser vom Chip bis zum System
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Das FBH präsentiert auf der "Laser World of Photonics" und der begleitenden "CLEO Europe" seine Leistungsfähigkeit bei Diodenlasern und UV-Leuchtdioden, die gezielt auf die jeweilige Anwendung…
Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
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Das FBH auf der WOCSDICE 2017
The Future on Stage - Spitzenforschung aus Berlin
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25 Jahre nach seiner Gründung schreibt der Forschungsverbund Berlin eine besondere Erfolgsgeschichte.
Advances in Physical Simulation of Transferred Substrate InP/InGaAs DHBT
/forschung/forschungsnews/advances-in-physical-simulation-of-transferred-substrate-inpingaas-dhbt
Device modeling is crucial for circuit design, thus improving device design and fabrication process. Recent advances in physical device modeling of our in-house transferred substrate InP/InGaAs…
Flexible GaN Chips für die drahtlose Infrastruktur der Zukunft
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Das FBH hat beim IEEE International Microwave Symposium 2015 in Phoenix einen neuartigen 4-stufigen Voltage-Mode (VM) Schaltverstärkerchip auf GaN-Basis vorgestellt. Dieser kompakte, hoch flexible…