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Internationale Tagung UV LEDs Technologies and Applications (ICULTA-2018)
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organisiert von Advanced UV for Life und der International Ultraviolet Association
Duale Ausbildung im Cluster Optik & Photonik – Gewinnung von Auszubildenden
/termine/duale-ausbildung-im-cluster-optik-photonik-gewinnung-von-auszubildenden
Sie wollen ausbilden, finden aber keine passenden Bewerber*innen? Nutzen Sie den Informations- und Erfahrungsaustausch rund um Suche und Auswahlprozess von Azubis?
Electromagnetic Simulations of Parasitic Effects in On-Wafer Measurements above 100 GHz
/termine/electromagnetic-simulations-of-parasitic-effects-in-on-wafer-measurements-above-100-ghz
Electromagnetic Simulations of Parasitic Effects in On-Wafer Measurements above 100 GHz Gia Ngoc PhungFerdinand-Braun-Institut Berlin
Erzeugung optischer ps-Pulse mit modengekoppelten CPM-Laserdioden für kompakte THz-Spektroskopiesysteme
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Erzeugung optischer ps-Pulse mit modengekoppelten CPM-Laserdioden für kompakte THz-Spektroskopiesysteme Thomas PrziwarkaFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Influence of the chip-heatsink thermal barrier on the brightness of high-power broad area diode lasers
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Improvements regarding the lateral beam quality of GaAs-based BA diode lasers strongly depend on the lateral temperature profile within the laser chip. FBH has recently made progress in understanding…
GeMiC 2018 - German Microwave Conference
/termine/gemic-2018-german-microwave-conference
Das FBH ist mit mehreren Beiträgen auf der German Microwave Conference vertreten.
Brilliant high-power violet-emitting laser diodes – final presentation of project results
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P. Perlin, TopGaN J.-H. Kang, Ferdinand-Braun-Institut P. Keshet, eagleyard Photonics GmbH
FBH presenting diode lasers and UV LEDs at Photonics West
/forschung/forschungsnews/fbh-presenting-diode-lasers-and-uv-leds-at-photonics-west
Berlin-based Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) – which researches compound semiconductor-based electronic and optical components, modules and systems – is…
Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers
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Epitaxial growth and characterization of GaAs-based type-II (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As “W”-quantum well heterostructures and lasers Dr. Christian FuchsPhilipps-University Marburg