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Manipulating Photons with Photonic Crystals - From Fundamental to Photonic Crystal Lasers -
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Manipulating Photons with Photonic Crystals - From Fundamental to Photonic Crystal Lasers - Prof. Susumu NodaKyoto University, Japan
Mit Laser-Innovationen den Technologievorsprung sichern
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Gemeinsam entwickeln Forschungsinstitute aus Berlin und Jena mit kleinen- und mittelständischen Unternehmen die weltweit erste gepulste Laserlichtquelle der Joule-Klasse für den mittleren…
Frisch gedruckt: FBH-Jahresbericht 2017
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Die wichtigsten Ereignisse und Ergebnisse des FBH aus dem Jahr 2017.
Jenoptik investiert in Adlershof
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Mit technischen Modernisierungen und Personalaufbau wappnet sich Jenoptik für die steigende Nachfrage nach Hochleistungs-Laserdioden - auch bei der Ausbildung geht das Berliner Spin-off des FBH neue…
Broadband InP DHBT Millimeter-wave Integrated Circuit (MMIC) Components for DC-300 GHz Frequency Range
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Broadband InP DHBT Millimeter-wave Integrated Circuit (MMIC) Components for DC-300 GHz Frequency Range Tanjil ShivanFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Transferred substrate InP/GaAsSb heterojunction bipolar transistor technology with fmax ∼ 0.53 THz
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InP-based semiconductors exhibit outstanding cut-off frequencies and large breakdown voltages and thus provide comparably high output powers in the THz frequency range. FBH's InP MMIC process allows…
Stabilization of AlN/sapphire templates during high-temperature annealing
/forschung/forschungsnews/stabilization-of-alnsapphire-templates-during-high-temperature-annealing
To obtain high-performance AlGaN-based optoelectronic devices, AlN starting layers with low threading dislocation densities (TDD) are required. FBH scientists have investigated and demonstrated a…
Quantentechnologie: Neues EU-Forschungsnetzwerk misst Bell-Zustände
/media-center/presseinformationen/quantentechnologie-neues-eu-forschungsnetzwerk-misst-bell-zustaende
Europäisches Forschungsnetzwerk gestartet, in dem ein Analysegerät für spezielle verschränkte Quantenzustände entwickelt werden soll - mit dabei ist auch das FBH.
Chalmers GaN HEMT Charge Model – Revisited
/forschung/forschungsnews/chalmers-gan-hemt-charge-model-revisited
The Chalmers model is one of the frequently used and well-known GaN HEMT models, featuring two implementations of capacitive effects: the capitance and the charge-based model. To achieve more precise…
ASM GaN: New Industry Standard Compact Model for GaN RF and Power Devices
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ASM GaN: New Industry Standard Compact Model for GaN RF and Power Devices Prof. Sourabh KhandelwalMacquarie University, Sydney