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Statistical Approaches to AlGaN/GaN power device reliability

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Statistical Approaches to AlGaN/GaN power device reliability Dr. Peter MoensON Semiconductor Belgium

Kleine Zwerge ganz groß

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Winzige Halbleiter-Bauelemente wie Laser, Verstärker, Sendebausteine stecken in jedem Mobiltelefon, in der Supermarktkasse oder sorgen für Sicherheit im Auto. Sie helfen in der Medizin und fliegen…

GaN HEMT-based THz detectors

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The FBH develops highly sensitive, fast-response and broadband THz detectors for CW and pulsed operation. Since fast THz cameras with high sensitivity are mandatory for many industrial applications,…

Auf zu kurzen Wellenlängen! Stand der Technik und Trends bei UV-Leuchtdioden

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In Vorträgen und auf der begleitenden Ausstellung der ICULTA-2018 präsentiert das Ferdinand-Braun-Institut seine Entwicklungen zu ultravioletten LEDs – vom Chip bis zum einsatzfähigen Modul. Das…

γ-irradiation tests of volume-holographic Bragg gratings

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Spaceborne quantum optical sensors for high-precision measurements rely on compact and robust narrow linewidth laser systems. The radiation hardness of the VHBGs which enhance the frequency stability…

Internationale Tagung UV LEDs Technologies and Applications (ICULTA-2018)

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organisiert von Advanced UV for Life und der International Ultraviolet Association

Duale Ausbildung im Cluster Optik & Photonik – Gewinnung von Auszubildenden

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Sie wollen ausbilden, finden aber keine passenden Bewerber*innen? Nutzen Sie den Informations- und Erfahrungsaustausch rund um Suche und Auswahlprozess von Azubis?

Electromagnetic Simulations of Parasitic Effects in On-Wafer Measurements above 100 GHz

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Electromagnetic Simulations of Parasitic Effects in On-Wafer Measurements above 100 GHz Gia Ngoc PhungFerdinand-Braun-Institut Berlin

Erzeugung optischer ps-Pulse mit modengekoppelten CPM-Laserdioden für kompakte THz-Spektroskopiesysteme

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Erzeugung optischer ps-Pulse mit modengekoppelten CPM-Laserdioden für kompakte THz-Spektroskopiesysteme Thomas PrziwarkaFerdinand-Braun-Institut, Berlin

Influence of the chip-heatsink thermal barrier on the brightness of high-power broad area diode lasers

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Improvements regarding the lateral beam quality of GaAs-based BA diode lasers strongly depend on the lateral temperature profile within the laser chip. FBH has recently made progress in understanding…