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Gemeinsam schlauer! - Unternehmen tauschten sich intensiv zu Praktika beim ANH-Workshop aus
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"Praktika für Jugendliche? Das ist so aufwändig", seufzen viele Unternehmen. Oft ist unklar, was es im Vorfeld zu regeln gilt oder wie ein Praktikum sinnvoll für das Unternehmen genutzt werden kann.…
Dual-wavelength diode lasers with adjustable wavelength distance
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FBH is developing tunable diode lasers emitting at two individually adjustable wavelengths that separate, among others, wanted Raman from unwanted background signals. These laser sources are required…
From Quantum to KOSMOS - Optical Quantum Technologies for Small Satellites
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3-tägiger Workshop: quantenoptische Technologien für kleine Satelliten!
Manipulating Photons with Photonic Crystals - From Fundamental to Photonic Crystal Lasers -
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Manipulating Photons with Photonic Crystals - From Fundamental to Photonic Crystal Lasers - Prof. Susumu NodaKyoto University, Japan
Mit Laser-Innovationen den Technologievorsprung sichern
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Gemeinsam entwickeln Forschungsinstitute aus Berlin und Jena mit kleinen- und mittelständischen Unternehmen die weltweit erste gepulste Laserlichtquelle der Joule-Klasse für den mittleren…
Frisch gedruckt: FBH-Jahresbericht 2017
/termine/frisch-gedruckt-fbh-jahresbericht-2017
Die wichtigsten Ereignisse und Ergebnisse des FBH aus dem Jahr 2017.
Jenoptik investiert in Adlershof
/termine/jenoptik-investiert-in-adlershof
Mit technischen Modernisierungen und Personalaufbau wappnet sich Jenoptik für die steigende Nachfrage nach Hochleistungs-Laserdioden - auch bei der Ausbildung geht das Berliner Spin-off des FBH neue…
Broadband InP DHBT Millimeter-wave Integrated Circuit (MMIC) Components for DC-300 GHz Frequency Range
/media-center/presseinformationen/broadband-inp-dhbt-millimeter-wave-integrated-circuit-mmic-components-for-dc-300-ghz-frequency-range
Broadband InP DHBT Millimeter-wave Integrated Circuit (MMIC) Components for DC-300 GHz Frequency Range Tanjil ShivanFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Transferred substrate InP/GaAsSb heterojunction bipolar transistor technology with fmax ∼ 0.53 THz
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InP-based semiconductors exhibit outstanding cut-off frequencies and large breakdown voltages and thus provide comparably high output powers in the THz frequency range. FBH's InP MMIC process allows…
Stabilization of AlN/sapphire templates during high-temperature annealing
/forschung/forschungsnews/stabilization-of-alnsapphire-templates-during-high-temperature-annealing
To obtain high-performance AlGaN-based optoelectronic devices, AlN starting layers with low threading dislocation densities (TDD) are required. FBH scientists have investigated and demonstrated a…