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Marthe-Vogt-Preis - Einladung zur Preisverleihung
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Mit dem Marthe-Vogt-Preis zeichnet der Forschungsverbund Berlin seit 2001 jährlich eine herausragende junge Wissenschaftlerin aus dem Raum Berlin/Brandenburg aus. In diesem Jahr erhält die Physikerin…
Exploring the efficiency limitations of semiconductor diode lasers
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Exploring the efficiency limitations of semiconductor diode lasers Prof. Stephen SweeneyUniversity of Surrey, UK
First digital sequential PA module for flexible efficiency tuning over wide power back-off range realized
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Recently, FBH has presented the first GaN-based digital sequential power amplifier module that allows to flexibly tune the efficiency over a wide output power range (6 … 12 dB) while…
Ergebnisse des ersten BEC im Weltraum in Fachzeitschrift Nature veröffentlicht
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Am 23.01.2017 gelang weltweit erstmalig die Realisierung eines Bose-Einstein-Kondensates im Weltraum. Die Ergebnisse dieses bahnbrechenden Experimentes sind am 18.10.2018 in der Fachzeitschrift…
Highly efficient load tuning assisted RF power amplifier with discrete-level supply modulation
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At IMS in Philadelphia and the co-located ARFTG – Microwave Measurement Conference, the FBH presented papers showing future directions towards more agile telecom systems, operating at much larger…
Beam quality and reliability of high-power broad-area laser diodes subject to external optical feedback
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Beam quality and reliability of high-power broad-area laser diodes subject to external optical feedback Simon RauchTrumpf Laser GmbH
InAs and Sb:InAs submonolayer quantum dots: A highly nonlinear active medium for optoelectronic devices
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InAs and Sb:InAs submonolayer quantum dots: A highly nonlinear active medium for optoelectronic devices Dr. Nina OwschimikowTU Berlin, Institut für Optik und Atomare Physik
Growth and properties of GaAs/(In,Ga)As core-shell nanowire arrays on Si
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Growth and properties of GaAs/(In,Ga)As core-shell nanowire arrays on Si Dr. Hanno KüpersPaul-Drude-Institut für Festkörperphysik
1. Innovation Day der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland
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Die größte Forschungskooperation im Bereich Mikroelektronik in Europa lädt Sie ein, die Leistungsfähigkeit der FMD näher kennen! Die Schwerpunkte liegen auf autarken Mikrosystemen, Umfeldsensorik mit…
Bidirektionale GaN-HFETs zur Leistungsumrichtung mit T-Typ Konvertern
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Leistungselektronische Schalttransistoren werden zur Leistungsumwandlung eingesetzt - meist leiten sie Strom oder sperren die Spannung nur in eine Richtung. GaN-Transistoren des FBH können in beide…