Patente

"Vorrichtung zur punktförmigen Fokussierung von Strahlung"
DE 10 2006 027 126 B3


"Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung"
DE 10 2004 052 857 B4


"Optoelektronisches Element und Verfahren zur kohärenten Kopplung von aktiven Bereichen optoelektronischer Elemente"
DE 10 2004 038 283 B4


"Mikrowellenantenne für in Flip-Chip-Technologie hergestellte Halbleiterbaugruppen"
DE 10 2004 014 018 B3      EP 1 726 063 B1      US 7 612 728
EP validiert in FR, GB


"Verfahren zur Herstellung eines Braggschen Gitters in einer Halbleiterschichtenfolge mittels Ätzen und Halbleiterbauelement"
DE 102 00 360 B4      EP 1 464 098 B1
EP validiert in GB, DE, CH, SE, IE, NL, FI, FR


"Verfahren zur Passivierung der Spiegelflächen von optischen Halbleiterbauelementen"
DE 102 21 952 B4        EP 1 514 335 B1        US 7,338,821 B2
EP validiert in CH, FI, FR, GB


"Verfahren zum Wachsen von Galliumnitrid-Halbleitermaterial"
DE 101 36 605 B4


"Laserresonatoren mit modenselektierenden Phasenstrukturen"
EP 1 295 371 B1        US 6,920,160 B2       JP 4785327 B2
EP validiert in GB, DK, FR, IT, DE, FI


"III-V-Halbleiterlaser-Bauelement"
DE 199 27 008 B4


"Mikroplasmaarray"
EP 1 836 718 B1        JP 5188815        US 8,545,764 B2
EP validiert in DE, FR, GB, CH


"Verfahren zur Erzeugung von vertikalen elektrischen Kontaktverbindungen in Halbleiterwafern"
US 8,158,514,B2       EP 1 891 670 B1        JP 5080456
EP validiert in CH, IT, DE, SE, FR, GB


"Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von kohärenter Terahertz-Strahlung"
DE 10 2006 041 728 B4        EP 2 057 720 B1
EP validiert in FR, GB


"Verfahren zur Erzeugung von Durchkontaktierungen in Halbleiterwafern"
JP 5123185        US 8,455,355 B2        EP 1 920 461 B1
EP validiert in AT, BE, DE, FR, GB, IE, IT, NL, SE


"Vorrichtung zur Frequenzverdopplung von Laserstrahlung"
DE 10 2007 063 492 B4


"Verfahren zur Herstellung von c-plane orientierten GaN- oder AlxGa1-xN-Substraten"
EP 1 841 902 B1
EP validiert in DE


"Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Detektion eines Raman-Spektrums"
US 7,864,311 B2        DE 10 2005 028 268 B4       EP 1 891 408 B1


"Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad und Halbleiterwafer mit Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad"
DE 10 2009 013 921 B3        US 8,648,466 B2


"Verfahren zur Erzeugung und zur Detektion eines Raman-Spektrums"
DE 10 2009 029 648 B3        US 8,310,672 B2        EP 2 480 868 B1
EP validiert in DK, FR, SE, GB, CH


"Vorrichtung, Tastkopf und Verfahren zur galvanisch entkoppelten Übertragung eines Messsignals"
DE 10 2005 061 683 B4        US 7,893,683 B2        EP 1 966 615 B1
EP validiert in FR, GB


"Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung"
US 8,003,996 B2        EP 2 095 433 B1
EP validiert in DE, GB, CH


"Elektrode für Plasmaerzeuger"
EP 2 143 306 B1        US 8,339,047 B2        JP 5683262 B2        KR 10 2010 0015978 A
EP validiert in DE, FR, CH


"Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung"
EP 2 262 067 B1
EP validiert in DE, CH, GB, FR


"Optische Bank und Verfahren zur Herstellung der optischen Bank"
DE 10 2009 024 944 B4        JP 5677420 B2       US 8,659,815 B2        KR 10-1572945 B1
EP 2 440 968 B1
EP validiert in DE, CH, DK, FR, GB


"P-Kontakt und Leuchtdiode für den ultravioletten Spektralbereich"
JP 5689466 B2        KR 10-1642276        US 9,331,246 B2


"Skalierbarer Aufbau für laterale Halbleiterbauelemente mit hoher Stromtragfähigkeit"
US 8,901,671 B2      EP 2 534 685 B1      JP 5738322 B2
EP validiert in DE, BE, AT, FR, GB, NL


"Self-Adjusting gate BIAS network for field effect transistors"
US 8,324,971 B2


"Mikrowellen-ICP-Resonator"
DE 10 2010 043 940 B4        EP 2 641 455 B1
EP validiert in CH, FR, GB


"Diodenlaser mit einem externen frequenzselektiven Element"
DE 10 2011 006 198 B4       US 8,867,586 B2


"Miniaturisierbare Plasmaquelle"
DE 10 2010 001 395 B4       EP 2 529 601 B1       US 8,796,934 B2
EP validiert in AT, CH, FR, GB, IT, PL


"Diodenlaser und Verfahren zur Herstellung eines Diodenlasers mit hoher Effizienz"
DE 10 2011 086 744 B3       US 8,846,425 B2


"Broad Area Diode Laser with High Efficiency and Small Far-Field Divergence"
US 8,537,869 B2


"Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas"
DE 10 2012 204 447 B4       US 8,963,427 B2       EP 2 642 833 A2
EP validiert in GB, FR


"Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Plasmapulsen"
DE 10 2012 200 878 B4       US 9,210,792 B2


"Halbleiterbauelement mit Feldplattenstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung"
JP 5512287       US 8,866,191 B2       EP 2 135 286 B1
EP validiert in DE, FR, GB


"Laserdiode mit hoher Effizienz und hoher Augensicherheit"
DE 10 2010 040 767 B4       US 9,343,873 B2       EP 2 617 110 B1
EP validiert in AT, CH, FI, FR, GB, IE, IT


"Photodetektor"
DE 10 2011 075 103 B4       US 9,431,557 B2


"Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateraler Strahlqualität"
US 8,675,705 B2       EP 2 467 909 B1
EP validiert in CH, DE, FR, SE


"Two-Cavity Surface-Emitting Laser"
US 8,824,518 B2


"Diodenlaser mit hoher Effizienz"
US 8,798,109 B2       EP 2 666 213 B1
validiert in CH, DE, FI, FR, IE, GB, IT


"Auto-Heterodyne Receiver"
US 9,100,113 B2


"System zur Frequenzkonversion sowie Halbleiterbauelement"
US 9,008,145 B2       EP 2 650 985 B1
validiert in DE, AT, CH, FI, FR


"Lichtleitvorrichtung und Vorrichtung umfassend eine Lichtleitvorrichtung und Mittel zur Ausstrahlung linear angeordneter, paralleler Lichtstrahlen"
DE 10 2014 203 479 B3


"Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas mittels eines Wanderwellenresonators"
DE 10 2009 046 881 B4       US 9,210,789 B2


"Halbleiterbauelement-Verbundstruktur mit Wärmeableitstruktur und dazugehöriges Herstellungsverfahren"
US 8,994,036 B2       DE 10 2012 206 289 B4       EP 2 654 078 B1
validiert in DE, FR, GB, SE


"Semiconductor Layer Structure"
US 8,809,968 B2


"Vorrichtung und Verfahren zur Selektion von optischen Pulsen"
DE 10 2012 209 485 B4      US 9,448,423 B2


"Verfahren zur selektiven Transmission eines optischen Signals"
US 8,559,098 B2       DE 10 2008 056 096 B4


"Vorrichtung mit einer Anordnung optischer Elemente"
DE 10 2012 216 164 B4


"Photodetektor und Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser diesen umfassend"
DE 10 2014 225 632 B3


"Prozesskammer mit modulierter Plasmaversorgung"
EP 2 417 619 B1
validiert in CH, DE, FR, GB