"Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung"
DE 10 2004 052 857 B4

"Verfahren zur Herstellung eines Braggschen Gitters in einer Halbleiterschichtenfolge mittels Ätzen und Halbleiterbauelement"
DE 102 00 360 B4       EP 1 464 098 B1
EP validiert in GB, DE, CH, SE, IE, NL, FI, FR

"Verfahren zur Passivierung der Spiegelflächen von optischen Halbleiterbauelementen"
DE 102 21 952 B4        EP 1 514 335 B1        US 7,338,821 B2
EP validiert in CH, FI, FR, GB

"Laser Resonators Comprising Mode-Selective Phase Structures"
US 6,920,160 B2

"Verfahren zur Erzeugung von vertikalen elektrischen Kontaktverbindungen in Halbleiterwafern"
US 8,158,514 B2       JP 5080456

"Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von kohärenter Terahertz-Strahlung"
DE 10 2006 041 728 B4        EP 2 057 720 B1
EP validiert in FR, GB

"Verfahren zur Erzeugung von Durchkontaktierungen in Halbleiterwafern"
JP 5123185        US 8,455,355 B2

"Vorrichtung zur Frequenzverdopplung von Laserstrahlung"
EP 2 235 590 B1
EP validiert in CH, DE, DK, FR, GB, IE

"Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Detektion eines Raman-Spektrums"
US 7,864,311 B2        DE 10 2005 028 268 B4       EP 1 891 408 B1
EP validiert in AT, CH, FR, GB, DE

"Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad und Halbleiterwafer mit Metallisierung für mindestens ein Kontaktpad"
DE 10 2009 013 921 B3        US 8,648,466 B2        EP 2409323 B1
EP validiert in DE, BE, ES, FR, GB, IE, SE

"Verfahren zur Erzeugung und zur Detektion eines Raman-Spektrums"
DE 10 2009 029 648 B3        US 8,310,672 B2        EP 2 480 868 B1
EP validiert in DK, FR, SE, GB, CH

"Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung"
US 8,003,996 B2        EP 2 095 433 B1
EP validiert in DE, GB, CH

"Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung"
EP 2 262 067 B1
EP validiert in DE, CH, GB, FR

"Optische Bank und Verfahren zur Herstellung der optischen Bank"
JP 5677420 B2       US 8,659,815 B2        KR 10-1572945 B1       EP 2 440 968 B1
EP validiert in DE, CH, DK, FR, GB

"P-Kontakt und Leuchtdiode für den ultravioletten Spektralbereich"
JP 5689466 B2        KR 10-1642276        US 9,331,246 B2        EP 2 454 762 B1
EP validiert in AT, BE, DE, CH, ES, FR, GB, IE, IT, NL

"Skalierbarer Aufbau für laterale Halbleiterbauelemente mit hoher Stromtragfähigkeit"
US 8,901,671 B2       EP 2 534 685 B1       JP 5738322 B2
EP validiert in DE, BE, AT, FR, GB, NL

"Self-Adjusting gate BIAS network for field effect transistors"
US 8,324,971 B2

"Diodenlaser mit einem externen frequenzselektiven Element"
DE 10 2011 006 198 B4       US 8,867,586 B2

"Diodenlaser und Verfahren zur Herstellung eines Diodenlasers mit hoher Effizienz"
US 8,846,425 B2       EP 2 595 259 B1
EP validated in DE, CH, FR, GB, NL, SE

"Broad Area Diode Laser with High Efficiency and Small Far-Field Divergence"
US 8,537,869 B2

"Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas"
DE 10 2012 204 447 B4       EP 2 642 833 A2
EP validiert in GB, FR

"Halbleiterbauelement mit Feldplattenstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung"
JP 5512287       US 8,866,191 B2       EP 2 135 286 B1
EP validiert in DE, FR, GB

"Laserdiode mit hoher Effizienz und hoher Augensicherheit"
US 9,343,873 B2       EP 2 617 110 B1
EP validiert in AT, CH, FI, FR, GB, IE, IT, DE

"Photodetektor"
DE 10 2011 075 103 B4       US 9,431,557 B2

"Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateraler Strahlqualität"
US 8,675,705 B2       EP 2 467 909 B1
EP validiert in CH, DE, FR, SE

"Oberflächenemittierende Laserstrahlquelle mit zwei Kavitäten"
US 8,824,518 B2       EP 2 337 168 B1
validiert in DE, CH, FR, GB, NL, SE

"Diodenlaser mit hoher Effizienz"
US 8,798,109 B2       EP 2 666 213 B1
EP validiert in CH, DE, FI, FR, IE, GB, IT

"Auto-Heterodyne Receiver"
US 9,100,113 B2

"System zur Frequenzkonversion sowie Halbleiterbauelement"
US 9,008,145 B2       EP 2 650 985 B1
EP validiert in DE, AT, CH, FI, FR

"Lichtleitvorrichtung und Vorrichtung umfassend eine Lichtleitvorrichtung und Mittel zur Ausstrahlung linear angeordneter, paralleler Lichtstrahlen"
DE 10 2014 203 479 B3       EP 3 111 267 B1       JP 6403792 B2       US 10,295,831 B2
KR 10-2225789
EP validiert in DE, CH, FR, GB, IE, NL, SE

"Halbleiterbauelement-Verbundstruktur mit Wärmeableitstruktur und dazugehöriges Herstellungsverfahren"
US 8,994,036 B2       EP 2 654 078 B1
EP validiert in DE, FR, GB, SE

"Halbleiterschichtenstruktur"
US 8,809,968 B2       DE 10 2012 207 501 B4       EP 2 662 896 B1
EP validiert in DE, BE, FR, GB, IT

"Vorrichtung und Verfahren zur Selektion von optischen Pulsen"
DE 10 2012 209 485 B4       US 9,448,423 B2       EP 2 672 311 B1
EP validiert in DE, FR, GB

"Vorrichtung und Verfahren zur selektiven Transmission eines optischen Signals"
US 8,559,098 B2       DE 10 2008 056 096 B4       EP 2 347 301 B1
EP validiert in DE, FR, GB

"Vorrichtung mit einer Anordnung optischer Elemente"
US 9,563,061 B2       JP 6255022 B2       EP 2 895 844 B1
EP validiert in DE, CH, DK, FI, GB, IT

"Photodetektor und Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser diesen umfassend"
DE 10 2014 225 632 B3

"UV LED with Tunnel-injection Layer"
US 9,705,030 B2

"Verfahren zum Ausbilden eines Metallkontakts auf einer Oberfläche eines Halbleiters und Vorrichtung mit einem Metallkontakt"
EP 3 084 808 B1       DE 10 2013 226 270 B3       KR 10-1831216       US 9,768,356 B2       JP 6511451 B2
EP validiert in DE, FR, GB, IE, PL

"Strahlungsdetektor und Verfahren zu dessen Herstellung"
DE 10 2017 103 687 B3       EP 3449508 B1       US 10,825,947 B2
EP validiert in DE, BE, AT, CH, ES, FR, GB, FI, IE, IT, NL, PL, TR, SE

"Vorrichtung zur Ansteuerung eines selbstleitenden n-Kanal Endstufenfeldeffekttransistors"
DE 10 2017 108 828 B3       US 10,840,860 B2

"Schaltung, System zur Entfernungsbestimmung und ein Fahrzeug"
DE 10 2018 103 518 B3

"Struktursystem zum Aufbau photonischer integrierter Schaltkreise und Verfahren zu dessen Herstellung"
DE 10 2018 108 114 B3

"Laser Diode with Distributed Feedback and Method for Producing"
US 10,348,056 B2       CN 107851966 B

"Laser Diode with Improved Electrical Conduction Properties"
US 10,498,105 B2       JP 6842422 B2

"Template für laterales Überwachsen mindestens einer Gruppe-III-Nitrid-basierten Schicht"
DE 10 2012 223 986 B4

"Wellenleiteranordnung"
EP 2 932 319 B1
EP validiert in DK, FR, GB

"Optical System and Method for Spectroscopy"
US 10,416,081 B2

"Diodenlaser mit verbessertem Modenprofil"
DE 10 2017 101 422 B4       US 10,840,674 B2

"Optical Device Comprising a Micro-Optical System and a Retainer, and Method for Producing an Optical Device"
US 10,690,877 B2        JP 6683702 B2

"Verfahren zur Herstellung eines mit einem Halbleitermaterial beschichteten Saphirsubstrats, nach dem Verfahren erhältliches beschichtetes Saphirsubstrat sowie Verwendung eines solchen Substrat in einer Leuchtdiode"
DE 10 2016 114 250 B4

"Verfahren und Vorrichtung zur Raman-Spektroskopie"
DE 10 2016 111 747 B4       US 10,794,766 B2

"Modulator for a Digital Amplifier"
US 10,476,517 B2

"Waveguide Structure and Optical System with Waveguide Structure"
US 10,833,478 B2

"Optical Pulse Generator and Method for Operating an Optical Pulse Generator"
US 10,802,116 B2