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Pumplaser für Weltraumanwendungen
/forschung/photonik/diodenlaser-uv-led-module/pumplaser-weltraumanwendungen
Seit über 20 Jahren entwickeln, qualifizieren und liefern wir Laserdioden-Module für Weltraumanwendungen – insbesondere zum Pumpen von Festkörperlasern (Nd:YAG). Herausragende Merkmale dieser…
Frequenzstabilisierte Diodenlaser
/forschung/photonik/chips-laser-leds/frequenzstabilisierte-laser
Eine schmale Linienbreite der emittierten Laserstrahlung ist für eine Fülle von Anwendungen interessant. Dazu zählen frequenzstabilisierte Diodenlaser, die in der Spektroskopie, nichtlinearen…
Durchstimmbare & Zweiwellenlängen-Diodenlaser
/forschung/photonik/chips-laser-leds/durchstimmbare-zweiwellenlaengen-laser
Durchstimmbare Laser, die im nahen Infrarot emittieren, werden für verschiedenste Anwendungen benötigt. Dazu zählen die Absorptionsspektroskopie, biomedizinische Bildgebung sowie nichtlineare…
Gepulste Diodenlaser
/forschung/photonik/chips-laser-leds/gepulste-laser
Wir entwickeln maßgeschneiderte Diodenlaser, mit denen sich kurze (µs) bis ultrakurze (ps) Laserpulse erzeugen lassen. Solche Pulse werden für vielfältige Anwendungen benötigt etwa in der…
Galliumnitrid-Diodenlaser
/forschung/photonik/chips-laser-leds/gan-diodenlaser
Wir entwickeln Diodenlaser, die auf dem Materialsystem (InAlGa)N basieren. Deren Eigenschaften stimmen wir gezielt auf das jeweilige Einsatzgebiet ab – etwa die Atomspektroskopie oder…
InP-Ultra-Breitband-Komponenten (InP-DHBT-MMIC)
/forschung/iii/v-elektronik/terahertz-komponenten-systeme/inp-ultra-breitband-komponenten
Wir entwickeln ultra-breitbandige Travelling-Wave-Verstärker (TWA) und breitbandige Transimpedanzverstärker (TIA) mit hervorragenden Eigenschaften, die wir mit unserem Transfer-Substrat…
Leistungselektronische Bauelemente mit Wide-Bandgap-Halbleitern
/forschung/iii/v-elektronik/technologien-prozesse/mikrowellen-leistungsbauelemente
Wir haben einen GaN-Bauelementprozess für leistungselektronische Transistoren und Halbbrücken entwickelt und betreiben eine Prozesstechnologie für selbstsperrende laterale 650 V…
Indiumphosphid-HBT-Prozess
/forschung/iii/v-elektronik/technologien-prozesse/inp-hbt-prozess
Der Terahertzbereich (0,1 - 3 THz) im elektromagnetischen Spektrum, der unterhalb der optischen Frequenzen liegt, ist heute technisch weitgehend unerschlossen, da elektronische Komponenten…
Schnell schaltende GaN-Leistungskerne
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/schnell-schaltende-gan-leistungskerne
Laterale GaN-Transistoren weisen durch ihre extrem kleinen Bauelementkapazitäten und geringen Gateladungen sehr hohe Grenzfrequenzen bis in den 10 GHz-Bereich auf. Sie eignen sich daher für…
GaN-Leistungsumrichter
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao/gan-leistungsumrichter
Eines der Ziele des gemeinsam mit der Technischen Universität Berlin betriebenen Joint Lab Power Electronics ist es, mit Schaltungsdemonstratoren das Potenzial der von uns entwickelten…