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Publikationen
/forschung/publikationen/effect-of-growth-conditions-and-strain-compensation-on-indium-incorporation-for-diode-lasers-emitting-above-1050-nm
Publikationen
/forschung/publikationen/carbon-doping-for-the-gaas-base-layer-of-heterojunction-bipolar-transistors-in-a-production-scale-movpe-reactor
The Perfectly Matched Layer as Lateral Boundary in Finite-Difference Transmission-Line Analysis
/forschung/publikationen/the-perfectly-matched-layer-as-lateral-boundary-in-finite-difference-transmission-line-analysis
Using a perfectly matched layer (PML) as lateral boundary in waveguide analysis introduces artificial modes and other unexpected effects. This paper presents results of a finite-difference…
Optimization of MOVPE growth for 650 nm-emitting VCSELs
/forschung/publikationen/optimization-of-movpe-growth-for-650-nm-emitting-vcsels
This paper reports on the optimization of the growth of visible-wavelength vertical-cavity surface emitting laser (VCSEL) diodes by metalorganic vapour-phase epitaxy (MOVPE). The VCSEL structure has…
Publikationen
/forschung/publikationen/interface-properties-of-isotype-gaasingapgaas-heterojunctions-grown-by-metalorganic-vapour-phase-epitaxy-on-gaas
Publikationen
/forschung/publikationen/110-and-111-ordering-in-movpe-grown-ga05inltsbgt05p-on-001-gaas-substrates-at-low-temperatureltsbgt
Publikationen
/forschung/publikationen/movpe-growth-of-algainp-based-laser-structures-monitored-by-real-time-reflectance-anisotropy-spectroscopy
Publikationen
/forschung/publikationen/optimization-of-gaaspalgaas-based-qw-laser-structures-for-high-power-800-nm-operation