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HiPoSwitch project completed with development of fast, efficient normally-off GaN-on-Si power transistors
/media-center/medienschau/hiposwitch-project-completed-with-development-of-fast-efficient-normally-off-gan-on-si-power-transistors
Lasting from September 2011 to end-August 2014 with a budget of €5.57m (including €3.58m of funding from the European Union), the recently completed three-year project HiPoSwitch ('High Power…
Fast, efficient switching – thanks to HiPoSwitch
/media-center/medienschau/fast-efficient-switching-thanks-to-hiposwitch
Power converters use power transistor switches as key components to accomplish power conversion. Lightning-fast semiconductor switches able to operate these kinds of converters more efficiently have…
"MINT anders" – Innovation und Experimente im Bildungssystem
/termine/mint-anders-innovation-und-experimente-im-bildungssystem
Das FBH ist auf dem 8. MINT-Tag im Bundesministerium für Wirtschaft und Energie vertreten.
Schnell und effizient schalten – dank HiPoSwitch
/media-center/presseinformationen/schnell-und-effizient-schalten-dank-hiposwitch
Im EU-Verbundprojekt HiPoSwitch ist es gelungen, sehr effiziente und blitzschnelle Galliumnitrid-Leistungsschalter zu entwickeln. Sie sind die Basis für energiesparende, kompakte und leichte…
Demonstration of GaN-based near UV laser diodes
/media-center/medienschau/demonstration-of-gan-based-near-uv-laser-diodes
The Fedinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) has developed low-threshold gallium nitride (GaN) based edge-emitting laser diodes (LDs) emitting in the near ultraviolet…
Stabilization of passively mode-locked quantum dot lasers
/termine/stabilization-of-passively-mode-locked-quantum-dot-lasers
Dr. Stefan BreuerTechnische Universität Darmstadt
Publikationen
/forschung/publikationen/gain-spectra-measurement-of-ingaaspalgaas-laser-structures-for-wavelengths-near-800-nm-using-a-new-variable-stripe-length-method
Publikationen
/forschung/publikationen/decomposition-analysis-of-gax-in1-x-asy-p1-y-heterostructures-by-stem
Publikationen
/forschung/publikationen/high-resolution-x-ray-diffraction-investigation-of-crystal-perfection-and-relaxation-of-gaas-ingaas-gaas-quantum-wells-depending-on-movpe-growth-conditions