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International Conference on Laser Ablation
/termine/international-conference-on-laser-ablation
Das FBH stellt auf der Konferenz aktuelle Forschungsergebnisse vor
Optische Halbleiterverstärker der Watt-Klasse basierend auf Rippenwellenleiterstrukturen
/forschung/forschungsnews/optische-halbleiterverstaerker-der-watt-klasse-basierend-auf-rippenwellenleiterstrukturen
Am FBH ist es gelungen, mithilfe einer verbesserten Epitaxiestruktur die Leistung von Rippenwellenleiter (RW)-Verstärkern deutlich zu erhöhen. Diese können mit einem CW-betriebenen Masteroszillator…
Halbleiterlaser mit resonanter Rückkopplung erreichen intrinsische Linienbreiten unter 20 Hz
/forschung/forschungsnews/halbleiterlaser-mit-resonanter-rueckkopplung-erreichen-intrinsische-linienbreiten-unter-20-hz
Atomuhren höchster Präzision, atominterferometrische Experimente für die immer präzisere Messung der Naturkonstanten sowie die kohärente Freiraumkommunikation in Raumfahrt brauchen…
Digital PA with voltage-mode topology using envelope delta-sigma modulation
/forschung/publikationen/digital-pa-with-voltage-mode-topology-using-envelope-delta-sigma-modulation
This paper reports on digital transmitter architecture for the 450 MHz band using an envelope delta-sigma modulator realized in CMOS and a voltage-mode class-S (VMCS) power amplifier (PA) based…
Linear thermal expansion coefficient determination using in situ curvature and temperature dependent X-ray diffraction measurements applied to metalorganic vapor phase epitaxy-grown AlGaAs
/forschung/publikationen/linear-thermal-expansion-coefficient-determination-using-in-situ-curvature-and-temperature-dependent-x-ray-diffraction-measurements-applied-to-metalorganic-vapor-phase-epitaxy-grown-algaas
AlxGa1-xAs grown on GaAs is known to be almost perfectly lattice matched with a maximum lattice mismatch of 0.14% at room temperature and even less at temperatures of 700°C-800°C. However, as layer…
Improved injection efficiency in 290nm light emitting diodes with Al(Ga)N electron blocking heterostructure
/forschung/publikationen/improved-injection-efficiency-in-290nm-light-emitting-diodes-with-algan-electron-blocking-heterostructure
The effect of different Al(Ga)N electron blocking heterostructures (EBH) on the emission spectra and light output power of 290 nm light emitting diodes (LEDs) has been investigated. The carrier…
High peak power pulses from dispersion optimised modelocked semiconductor laser
/forschung/publikationen/high-peak-power-pulses-from-dispersion-optimised-modelocked-semiconductor-laser
Presented is an electrically pumped passively modelocked edge-emitting semiconductor laser system in an external cavity setup with intracavity dispersion management. This concept, in combination with…
Leistungsstarke Femtosekunden-Diodenlasersysteme
/forschung/publikationen/leistungsstarke-femtosekunden-diodenlasersysteme
Die Femtosekunden-Lasertechnologie verspricht viele interessante Anwendungen von der Grundlagenforschung über die Messtechnik bis zur Materialbearbeitung. Während bei den konventionellen…
Phase control of semi-polar (1120) GaN on cone shaped r-plane patterned sapphire substrates
/forschung/publikationen/phase-control-of-semi-polar-1122-and-non-polar-1120-gan-on-cone-shaped-r-plane-patterned-sapphire-substrates
The control of formation of semi-polar (1122) and nonpolar a-plane (1120) GaN phases on r-plane cone shaped patterned sapphire substrates (CPSS) by metalorganic vapor-phase epitaxy has been…
Characterization of semiconductor devices and wafer materials via sub-nanosecond time-correlated single-photon counting
/forschung/publikationen/characterization-of-semiconductor-devices-and-wafer-materials-via-sub-nanosecond-time-correlated-single-photon-counting
Time-correlated single-photon counting (TCSPC) of semiconductor photoluminescence is presented as a versatile technique for addressing diverse aspects of charge carrier dynamics on a pico- to…