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Interferometry with Bose-Einstein Condensates in Microgravity
/forschung/publikationen/interferometry-with-bose-einstein-condensates-in-microgravity
Atom interferometers covering macroscopic domains of space-time are a spectacular manifestation of the wave nature of matter. Because of their unique coherence properties, Bose-Einstein condensates…
Laserstrahlquellen für Atominterferometrie unter Schwerelosigkeit
/forschung/forschungsnews/laserstrahlquellen-fuer-atominterferometrie-unter-schwerelosigkeit
Die Schwerelosigkeit eignet sich ideal für quantenoptische Experimente, da sich unter diesen Bedingungen das inzwischen mögliche Potenzial hinsichtlich Präzision und Messgenauigkeit voll ausschöpfen…
UV-LEDs mit dominanter Emission bei Wellenlängen <240 nm
/forschung/forschungsnews/uv-leds-mit-dominanter-emission-bei-wellenlaengen-lt240-nm
Durch ein neues Heterostrukturdesign und eine sorgfältige Optimierung der Halbleiterschichtstrukturen ist es dem FBH und der TU Berlin im Rahmen ihres Joint Labs gelungen, UV-LEDs mit einer…
Präzise Messungen mit hoher räumlicher Auflösung zur Optimierung von violett-blauen GaN-Laserdioden
/forschung/forschungsnews/praezise-messungen-mit-hoher-raeumlicher-aufloesung-zur-optimierung-von-violett-blauen-gan-laserdioden
GaN-basierte Laser, die im blauen und violetten Spektralbereich emittieren, zeigen verglichen mit Infrarot-emittierenden Lasern noch immer eine geringere Ausgangsleistung und Effizienz. Um die…
Schmalbandiges GaN-basiertes Diodenlasersystem zur Erzeugung von DUV-Laserlicht für die Ramanspektroskopie
/forschung/forschungsnews/schmalbandiges-gan-basiertes-diodenlasersystem-zur-erzeugung-von-duv-laserlicht-fuer-die-ramanspektroskopie
Am FBH wurde erstmals ein GaN-basiertes Hochleistungs-Diodenlaser-System mit einer optischen Ausgangsleistung von 400 mW und schmalbandiger Emission bei 445 nm realisiert. Mithilfe eines…
Differenzieller GaN-Leistungsoszillator für kompakte Plasmaquellen im 2,45 GHz-Frequenzband
/forschung/forschungsnews/differenzieller-gan-leistungsoszillator-fuer-kompakte-plasmaquellen-im-245-ghz-frequenzband
Leistungsoszillatoren können wesentlich zur Miniaturisierung zukünftiger Generatoren im Bereich der Mikrowellenerwärmung und Plasmatechnik beitragen, da sie das Mikrowellensignal in einer einzigen…
AlGaN photodetectors for the UV-C spectral region on planar and epitaxial laterally overgrown AlN/sapphire templates
/forschung/publikationen/algan-photodetectors-for-the-uv-c-spectral-region-on-planar-and-epitaxial-laterally-overgrown-alnsapphire-templates
We present Schottky type metal semiconductor metal (MSM) AlGaN photodetectors (PDs) suited for the ultraviolet C (UV-C) spectral region grown on conventional planar AlN templates in comparison with…
Effect of TMGa preflow on the properties of high temperature AlN layers grown on sapphire
/forschung/publikationen/effect-of-tmga-preflow-on-the-properties-of-high-temperature-aln-layers-grown-on-sapphire
The effect of a trimethylgallium (TMGa) preflow on the structural and optical properties of MOCVD grown AlN layers on sapphire substrates is investigated. Secondary ion mass spectroscopy measurements…
HVPE growth of thick Al0.45Ga0.55N layers on trench patterned sapphire substrates
/forschung/publikationen/hvpe-growth-of-thick-al045ga055n-layers-on-trench-patterned-sapphire-substrates
In this work results on the influence of the total pressure, V/III ratio and substrate miscut direction on the growth of Al0.45Ga0.55N on trench patterned sapphire by hydride vapour phase epitaxy are…
Integrated 13 GHz ps-pulse-source at 1064 nm
/forschung/publikationen/integrated-13nbspghz-ps-pulse-source-at-1064nbspnm
We present an integrated pulse source at 1064 nm and discuss design, fabrication and measurement results of the 3.5 mm long ridge-waveguide distributed Bragg reflector laser. The optical…