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High resolution measurement of the thermal expansion coefficient of semiconductor multilayer lateral nanostructures
/forschung/publikationen/high-resolution-measurement-of-the-thermal-expansion-coefficient-of-semiconductor-multilayer-lateral-nanostructures
We measured the thermal expansion coefficient (TEC) of a vertically stacked multi-quantum-well (MQW) structure buried under a thick GaAs top layer before and after lateral patterning of the GaAs top…
Fundamental-Lateral Mode Stabilized High-Power Ridge-Waveguide Lasers With a Low Beam Divergence
/forschung/publikationen/fundamental-lateral-mode-stabilized-high-power-ridge-waveguide-lasers-with-a-low-beam-divergence
We compare ridge-waveguide lasers with trench widths of 5 and 20 µm. The emission wavelength is around 1064 nm and the ridge width is 5 µm. The maximum output power exceeds 2W.…
Visualization of heat flows in high-power diode lasers by lock-in thermography
/forschung/publikationen/visualization-of-heat-flows-in-high-power-diode-lasers-by-lock-in-thermography
Lock-in thermography is applied to analyze thermal properties of high-power diode lasers. With a temporal resolution of about 100 µs for thermal imaging of the entire device, microscopic heat…
Determination of dislocation density in MOVPE grown GaN layers using KOH defect etching
/forschung/publikationen/determination-of-dislocation-density-in-movpe-grown-gan-layers-using-koh-defect-etching
We report on molten KOH-based defect etching of GaN epitaxial layers for the quantitative determination of the dislocation density. Etching process parameters were established at 450 °C that…
Freestanding 2-in GaN layers using lateral overgrowth with HVPE
/forschung/publikationen/freestanding-2-in-gan-layers-using-lateral-overgrowth-with-hvpe
Hydride vapor phase epitaxy (HVPE) was used for the lateral overgrowth of thick GaN layers over masks of tungsten silicide nitride (WSiN). This mask material reduces sticking between the overgrown…
Control of optical mode distribution through etched microstructures for improved broad area laser performance
/forschung/publikationen/control-of-optical-mode-distribution-through-etched-microstructures-for-improved-broad-area-laser-performance
Etching microstructures into broad area diode lasers is found to lead to more uniform near field and increased power conversion efficiency, arising from increased slope. Self-consistent device…
Hochgeschwindigkeits-Lasertreiber
/forschung/iii/v-elektronik/hf-expertise-anwendungen/lasertreiber
High-Power Pulse Laser Sources for LiDAR Applications Flyer (pdf) GaN laser drivers for LiDAR systems Datenblatt (pdf) Gepulste Laserquellen sind zu Schlüsselelementen von optischen Systemen…
Transistor-Modellierung
/forschung/iii/v-elektronik/hochfrequenz-expertise/transistor-modellierung
Integrierte Schaltungen werden am Computer entworfen und sind nachträglich nicht abstimmbar. Daher ist die Genauigkeit der Entwurfssoftware entscheidend. Die Transistormodellierung bildet die…
Mikrowellen-Messtechnik
/forschung/iii/v-elektronik/hf-expertise-anwendungen/messtechnik
Die am Ferdinand-Braun-Institut verfügbare Mikrowellenmesstechnik dient der Charakterisierung der Bauelemente und integrierten Schaltungen. Sie bildet darüber hinaus die Grundlage für die…
THz-Bildgebung mit Transistor-Detektoren
/forschung/iii/v-elektronik/terahertz-komponenten-systeme/thz-bildgebung
Wir entwickeln THz-Detektoren auf der Grundlage plasmonischer und resistiver Effekte für Frequenzen bis 2500 GHz – als schmalbandige und ultra-breitbandige THz-Detektoren. Zudem realisieren…