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Atmosphärische Plasmaquelle – erste Pilotserie
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Am FBH wurde zusammen mit der Aurion Anlagentechnik eine neue Mikrowellen-Plasmaquelle für den Betrieb bei Atmosphärendruck entwickelt. In die Quelle ist der Mikrowellenoszillator integriert, der als…
Neue Elektronenstrahl-Belichtungsanlage am FBH
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Die neue Formstrahl-Anlage SB251 erlaubt Belichtungen höchster Präzision und ist eines der zentralen Geräte für die State-of-the-Art-Bauelementeentwicklung am FBH.
Selbstsperrende GaN-Hochspannungstransistoren für die Leistungselektronik
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Neuartige GaN-Leistungstransistoren des FBH bieten bis zu 1000 Volt Durchbruchfestigkeit. Zusätzlich können sie nur durch das Anlegen einer positiven Steuerspannung von mehr als 1 V geöffnet…
Erhöhung der Lichtextraktion ultravioletter Leuchtdioden
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Kompakte UV-LEDs sind für zahlreiche Anwendungen hoch attraktiv. Dem FBH ist es mit einem neuartigen Designansatz gelungen, die derzeit noch geringe Effizienz deutlich zu steigern.
Soak-Liftprozessor am FBH ermöglicht feinere Strukturen
/forschung/forschungsnews/soak-liftprozessor-am-fbh-ermoeglicht-feinere-strukturen
Am FBH wurde ein spezielles Lift-off-Verfahren entwickelt, mit dem feinste Gate-Strukturen qualitativ einwandfrei geliftet wurden. Dieses Verfahren soll künftig für die Entwicklung innovativer …
Laserstrahlquelle für die kohärente optische Freiraumkommunikation
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Stefan Spießberger Ferdinand-Braun-Institut
GaN-HEMT-Entwicklung
/termine/gan-hemt-entwicklung
Dr. Sylvain DelageAlcatel-Thales III-V Lab Marcoussis, France
Anwendung und Herstellung mikro-optischer Komponenten
/termine/anwendung-und-herstellung-mikro-optischer-komponenten
Dr. Stefan HambückerIngeneric GmbH, Aachen
Simulation and Characterization of Nonlinear Effects in RF Power Transistors
/termine/simulation-and-characterization-of-nonlinear-effects-in-rf-power-transistors
Dr. Olof BengtssonFerdinand-Braun-Institut
Reliability of GaN HEMTs
/termine/reliability-of-gan-hemts
Reliability of GaN HEMTs Prof. Gaudenzio Meneghesso University of Padova, Italy 11.06.2010