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Michael Kneissl ist neuer IEEE-Fellow
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Im Januar 2016 wurde Michael Kneissl für seine Beiträge zur Entwicklung von Halbleiterlaserdioden großer Bandlücke und UV-LEDs in den Kreis der IEEE-Fellows aufgenommen.
Advanced Power Semiconductor Laboratory - new at ETH Zürich, Switzerland
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Advanced Power Semiconductor Laboratory - new at ETH Zürich, Switzerland Prof. Dr. Ulrike GrossnerETH Zürich
Development of integrated optically pumped magnetometers at the Leibniz Institute of Photonic Technology
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Development of integrated optically pumped magnetometers at the Leibniz Institute of Photonic Technology Dr. Ronny Stolz , Dr. Volkmar SchultzeLeibniz-Institut für Photonische Technologien e.V.,…
Entwicklung von brillanten Breitstreifenlasern für optisches und spektrales Multiplexing
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Entwicklung von brillanten Breitstreifenlasern für optisches und spektrales Multiplexing Jonathan DeckerFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Mikro-integriertes Diodenlasersystem für eine Aluminium-Ionen Quantenlogik-Uhr
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Mikro-integriertes Diodenlasersystem für eine Aluminium-Ionen Quantenlogik-Uhr Mandy KrügerFerdinand-Braun-Institut, Berlin
24-Wellenlängen-DBR-Laserarray mit Oberflächengittern für optische Systeme
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Arrays aus Diodenlasern, die mit definierten räumlichen Abständen auf einem Chip angeordnet sind, sind wichtige Komponenten z.B. für optische Systeme zur präzisen Oberflächendetektion wie etwa…
Dritte Förderphase für Sonderforschungsbereich Halbleiter-Nanophotonik bewilligt
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Die Deutsche Forschungsgemeinschaft fördert den Sonderforschungsbereich Halbleiter-Nanophotonik (Sfb 787) für weitere vier Jahre
2.45 GHz Leistungsoszillator zur Plasmaerzeugung mit kompakten Modulen in Matrixanordnung (ZIM-Projekt QUADRIGA)
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2.45 GHz Leistungsoszillator zur Plasmaerzeugung mit kompakten Modulen in Matrixanordnung (ZIM-Projekt QUADRIGA) Christian BanslebenFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Charakterisierung und Optimierung von (Al, Ga)N-basierten UV-Photodetektoren
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Charakterisierung und Optimierung von (Al, Ga)N-basierten UV-Photodetektoren Moritz BrendelFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Epitaxie von III-V Halbleitern
/termine/epitaxie-von-iii-v-halbleitern
Das FBH ist auf dem 30. Arbeitskreistreffen der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung vertreten