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GaN HEMT modeling based on Chalmers model and pulsed S-parameter measurements
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Today, GaN high electron mobility transistors (HEMTs) have demonstrated extraordinary microwave performance including high power density, high gain, and low noise.
Mikrosensorik Innovationen heute – Kundenspezifische Lösungen von der Idee zum kundenspezifischen Sensor
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Mikrosensorik Innovationen heute – Kundenspezifische Lösungen von der Idee zum kundenspezifischen Sensor Prof. Dr. Thomas OrtleppCiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH, Erfurt
The Cold Atom Laboratory (CAL)- The coldest spot in the universe
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The Cold Atom Laboratory (CAL)- The coldest spot in the universe Dr. David AvelineNASA Jet Propulsion Lab (Pasadena, USA)
Technologieentwicklung für breitbandige InP DHBT Leistungsverstärker
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Technologieentwicklung für breitbandige InP DHBT Leistungsverstärker Dimitri StoppelFerdinand-Braun-Institut, Berlin
WOCSDICE-EXMATEC 2016
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Das FBH präsentiert aktuelle Forschungsergebnisse auf der Konferenz
Besuchen Sie uns zur Langen Nacht der Wissenschaften
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Wir öffnen unsere Labore und zeigen Ihnen die Welt der reiskorngroßen Laser - viele frei zugängliche Angebote und Mitmachexperimente.
kW-Diodenlaser-Pumpmodule mit lateraler Entwärmung für Kurzpulslasersysteme hoher Energie
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kW-Diodenlaser-Pumpmodule mit lateraler Entwärmung für Kurzpulslasersysteme hoher Energie Dr. Götz ErbertFerdinand-Braun-Institut, Berlin
High Energy Class Diode Pumped Solid State Lasers (HECDPSSL): Towards the development of the next generation
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High Energy Class Diode Pumped Solid State Lasers (HECDPSSL): Towards the development of the next generation Dr. Jörg KörnerLastronics GmbH, Jena
International Microwave Symposium
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Das FBH ist auf der IMS mit mehreren Beiträgen vertreten
CLEO 2016: Laser Science to Photonic Application
/termine/cleo-2016-laser-science-to-photonic-application
Beiträge des FBH auf der diesjährigen CLEO US