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Advancements in characterization techniques for high-speed transistors
/forschung/forschungsnews/advancements-in-characterization-techniques-for-high-speed-transistors
Our high-speed transistors are promising candidates for future wireless communication applications. We develop robust characterization techniques to extract reliable transistor parameters through 3D…
FiO LS 2024
/termine/fio-ls-2024
Bei der diesjährigen FiO LS Konferenz (Frontiers in Optics + Laser Science) wird das FBH neueste Forschungsergebnisse präsentieren.
fit4nano 2024
/termine/fit4nano-2024
Das FBH präsentiert beim Focused Ion Technology for Nanomaterials Workshop neueste Forschungsergebnisse in mehreren Beiträgen.
Videos
/media-center/mediathek/videos
Blick in unsere hochmodernen Reinraumlabore – zur Entwicklung von High-End-Halbleiterchips Wir zeigen verschiedene Stationen in unserem Reinraum, in dem wir leistungsfähige Mikrochips für…
Special topic on Wide- and ultrawide-bandgap electronic semiconductor devices
/forschung/publikationen/special-topic-on-wide-and-ultrawide-bandgap-electronic-semiconductor-devices
Special topic on Wide- and ultrawide-bandgap electronic semiconductor devices J. Würfl1, T. Palacios2, H. Grace Xing3, Y. Hao4, and M. Schubert5 …
Experimental Investigation of GaN-on-AlN/SiC Transistors With Regard to Monolithic Integration
/forschung/publikationen/experimental-investigation-of-gan-on-alnsic-transistors-with-regard-to-monolithic-integration
The monolithic integration of the GaN-on-Si high-electron-mobility transistors (HEMTs) is challenging since the back-gating effects caused by a common substrate degrade the device’s performance. In…
Evolutionary Optimized, Monocrystalline Gold Double Wire Gratings as a Novel SERS Sensing Platform
/forschung/publikationen/evolutionary-optimized-monocrystalline-gold-double-wire-gratings-as-a-novel-sers-sensing-platform
Achieving reliable and quantifiable performance in large-area surface-enhanced Raman spectroscopy (SERS) substrates poses a formidable challenge, demanding signal enhancement while ensuring response…
Si-implantation for low ohmic contact resistances in RF GaN HEMTs
/forschung/publikationen/si-implantation-for-low-ohmic-contact-resistances-in-rf-gan-hemts
In this work, Si implantation and activation for lowering the ohmic contact resistance (Rc) of mm-wave GaN HEMTs has been investigated. Various combinations of annealing temperature/duration and…
Atomic Layer Deposition – a powerful tool for atomic-scale processing
/forschung/forschungsnews/atomic-layer-deposition-a-powerful-tool-for-atomic-scale-processing
Emerging technologies demand for precise control over film thickness and material properties. At FBH, we provide a platform for obtaining conformal dielectric layers with atomic-scale precision and…
Green ICT Camp für Studierende
/termine/green-ict-camp-fuer-studierende
Eine Woche voller Workshops, Seminare & Exkursionen zum Thema Informations- und Kommunikationstechnik (IKT) mit einem geringen Carbon Footprint.