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Gain Characteristics of Optically Pumped UVC Lasers with Wide AlGaN Single-Quantum-Well Active Regions
/forschung/publikationen/gain-characteristics-of-optically-pumped-uvc-lasers-with-wide-algan-single-quantum-well-active-regions
Herein, the lasing threshold and gain characteristics of ultraviolet-C optically pumped edge-emitting lasers with thick single-quantum-well (SQW) active regions are investigated by the…
TOTAL E-QUALITY Prädikat für Chancengleichheit zum sechsten Mal verliehen
/media-center/presseinformationen/total-e-quality-praedikat-fuer-chancengleichheit-zum-sechsten-mal-verliehen
Das FBH hat zum sechsten Mal in Folge das TOTAL E-QUALITY Prädikat für chancengleichheitsorientierte Personal- und Organisationspolitik erhalten.
Aspects and Applications of Thermal Waveguiding
/termine/aspects-and-applications-of-thermal-waveguiding
Philipp Hildenstein Ferdinand-Braun-Institut
Superior performance of a single-wavelength high-power DFB laser
/forschung/forschungsnews/superior-performance-of-a-single-wavelength-high-power-dfb-laser
We’ve developed a 780 nm distributed feedback laser which, by design, provides mode-hop free tuning over a wide range of currents and temperatures. It can serve as an enabling component for more…
Deep-UV Light for Antiseptics & Hygiene
/termine/symposium-deep-uv-light-for-antiseptics-hygiene
Das FBH beteiligt sich mit einem Vortrag am diesjährigen Deep-UV Light for Antiseptics & Hygiene Symposium.
Fusion at Lawrence Livermore
/termine/fusion-at-lawrence-livermore
Will Fenwick Lawrence Livermore Labs, USA
226 nm Far-Ultraviolet-C Light Emitting Diodes with an Emission Power over 2 mW
/forschung/publikationen/226-nm-far-ultraviolet-c-light-emitting-diodes-with-an-emission-power-over-2-mw
Far-ultraviolet-C (far-UVC) light emitting diodes (LED) emitting at an emission wavelength of 226 nm with different n-AlGaN contact layers, quantum well barriers, and quantum well numbers are…
GaN Drift Layers on Sapphire and GaN Substrates for 1.2 kV Class Vertical Power Devices
/forschung/publikationen/gan-drift-layers-on-sapphire-and-gan-substrates-for-12kv-class-vertical-power-devices
The development of processes for epitaxial growth of vertical gallium nitride (GaN) drift layers enabling 1.2 kV breakdown voltage on low-cost sapphire substrates is presented in comparison to…
Switch Integrated Ka-Band Low Noise Amplifier in GaN/AlN HEMT Technology
/forschung/publikationen/switch-integrated-ka-band-low-noise-amplifier-in-ganaln-hemt-technology
This paper presents low noise amplifiers (LNA) with integrated DC and RF switching features for multifunctional single chip RF front end (RFFE) applications. Two 28–32 GHz LNAs, with and without…
Prediction of the Large-Signal GaN HEMT Performance Using Accurate TCAD-Compact Modeling Method
/forschung/publikationen/prediction-of-the-large-signal-gan-hemt-performance-using-accurate-tcad-compact-modeling-method
Accurate prediction of the large-signal power performance of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) can be achieved by combining TCAD device modeling with the RF simulations…