International Workshop on Nitride Semiconductors
über neue Entwicklungen auf dem Gebiet der Gruppe-III-Nitrid-Materialien, -Nanostrukturen und -Bauelemente. Co-Chairman ist Prof. Kneissl. Das Joint Lab GaN Optoelectronics und das Department Materialtechnologie sind mit 7 Beiträgen von Seiten des FBH und 11 von Seiten der TU Berlin vertreten.