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Growth monitoring of GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors by reflectance anisotropy spectroscopy
/forschung/publikationen/growth-monitoring-of-gainpgaas-heterojunction-bipolar-transistors-by-reflectance-anisotropy-spectroscopy
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) was applied as in situ probe during the growth of GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBT) under production conditions, i.e. wafer rotation. The…
ESLW 2024
/termine/eslw-2024
Das FBH präsentiert neueste Forschungsergebnisse beim European Semiconductor Laser Workshop.
Applikationslabore (EFRE)
/forschung/applikationslabore-efre
Applikationslabor III/V-Komponenten für Aerospace Die Luft- und Raumfahrt gewinnt zunehmend an Bedeutung für Wirtschaft, Wissenschaft und Sicherheit. Sie treibt Innovationen in Schlüsseltechnologien…
Auf Leibniz' Spuren: Die schlauen Leute von heute
/media-center/medienschau/auf-leibniz-spuren-die-schlauen-leute-von-heute
Im Mosaik-Comic erklären die Abrafaxe und das Ferdinand-Braun-Institut kindgerecht, wie ein Laser funktioniert, was ihn so besonders macht und wofür man ihn braucht.
Girls'Day
/karriere/schuelerinnen-schueler/girls-day
Seit 2004 beteiligen wir uns jedes Jahr am Girls'Day und freuen uns über das anhaltende Interesse. Unter dem Motto "Ein Tag als Mikrotechnologin – Forschung mit Feingefühl" können Schülerinnen der…
In situ monitoring and control of InGaP growth on GaAs in MOVPE
/forschung/publikationen/in-situ-monitoring-and-control-of-ingap-growth-on-gaas-in-movpe
The growth of InGaP on GaAs was investigated and controlled by in situ reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) and spectroscopic ellipsometry (SE). In contrast to other III–V semiconductors, the…
GCOPTICS 2024
/termine/gcoptics-2024
Das FBH präsentiert in einem Beitrag neueste Forschungsergebnisse auf der Global Conference on Optics, Photonics and Lasers.
Overgrowth of trenches with (AlGa)As using metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE)
/forschung/publikationen/overgrowth-of-trenches-with-algaas-using-metalorganic-vapor-phase-epitaxy-movpe
A detailed study of the regrowth of (AlGa)As over trenches etched into (InGa)P, an important step in the fabrication of index-guided laser structures, is presented. The resulting Al concentration…
MOVPE growth of tunable DBR laser diode emitting at 1060 nm
/forschung/publikationen/movpe-growth-of-tunable-dbr-laser-diode-emitting-at-1060-nm
Tunable laser diodes emitting at 1060 nm have been grown by metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE). For the growth of the highly strained InGaAs/GaAs quantum well (QW) high growth rates are found…
Ordering in GaxIn1-xAsyP1-y grown on GaAs by metalorganic vapour-phase epitaxy
/forschung/publikationen/ordering-in-gaxin1-xasyp1-y-grown-on-gaas-by-metalorganic-vapour-phase-epitaxy
We have investigated ordering behaviour in MOVPE-grown GaInAsP lattice-matched to GaAs using luminescence and diffraction methods. Our observations indicate that the occurrence of ordering variants…