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Miniaturizing a coherent beam combining system into a compact laser diode module
/forschung/publikationen/miniaturizing-a-coherent-beam-combining-system-into-a-compact-laser-diode-module
We present a laser module with dimensions of 76×43×15mm3 that for the first time to our knowledge realizes a coherent beam combination in such a compact device, using two tapered amplifiers seeded by…
Targeting 6G applications in the sub-THz range – advanced InP bipolar transistor process
/forschung/forschungsnews/targeting-6g-applications-in-the-sub-thz-range-advanced-inp-bipolar-transistor-process
Joint research activities between University of Duisburg-Essen and FBH yield improved performance of InP-based technologies. These rely on optimized epitaxial material and novel process techniques.…
Quantenforschung - Weiß der Adler
/media-center/medienschau/quantenforschung-weiss-der-adler
Forschung an der Quantentechnologie ist für viele Staaten der Schlüssel zur Zukunft. Wie das funktioniert und was Quantenforschen alles können soll, darüber sprechen im Podcast "Weiß der Adler"…
Hightech für den Strukturwandel: iCampus lädt Unternehmen zur Transferkonferenz ein
/media-center/presseinformationen/hightech-fuer-den-strukturwandel-icampus-laedt-unternehmen-zur-transferkonferenz-ein
Vom 14. bis 16. Mai 2024 diskutieren und entwickeln Forschungseinrichtungen und Unternehmen neue Projektideen: Die erste iCampusCottbusConference (iCCC) bietet den Rahmen für technologische…
AES Depth Profiling of Semiconducting Epitaxial Layers with Thicknesses in the Nanometre Range Using an Ion Beam Bevelling Technique
/forschung/publikationen/aes-depth-profiling-of-semiconducting-epitaxial-layers-with-thicknesses-in-the-nanometre-range-using-an-ion-beam-bevelling-technique
An ion beam technique has been developed that allows the preparation of bevels from semiconducting hetero-epitaxial structures with smooth surfaces and very shallow angles between 0.1° and…
Eigen mode solver for microwave transmission lines
/forschung/publikationen/eigen-mode-solver-for-microwave-transmission-lines
The electromagnetic properties of microwave transmission lines can be described using Maxwell’s equations in the frequency domain. Applying a finite-volume scheme results in an algebraic eigenvalue…
Ticket zum neuen Job in der Wahlheimat
/media-center/medienschau/ticket-zum-neuen-job-in-der-wahlheimat
Als einzigartiges Erfolgsprojekt, das sich permanent am aktuellen Bedarf der Unternehmen orientiert und sich durch seine sehr große Nähe zum Arbeitsmarkt auszeichnet, charakterisierte der Vorsitzende…
SiGe MMIC’s - on the Current State-of-the-Art
/forschung/publikationen/sige-mmics-on-the-current-state-of-the-art
In recent years, the frequency limits of SiGe Heterostructure Bipolar Transistors (HBTs) have been extended to frequencies above 50 GHz. This opens new perspectives for Si-based monolithic…
Stable operation of InGaAs/InGaP/AlGaAs (λ = 1020 nm) laser diodes
/forschung/publikationen/stable-operation-of-ingaasingapalgaas-lambda-1020-nm-laser-diodes
The facet degradation of InGaAs/GaAs/AlGaAs ridge waveguide (RW) laser diodes was suppressed by replacing the AlGaAs waveguide layers with a InGaP lattice matched to GaAs. The long-term behaviour of…
Nonlinear modeling of SiGe HBTs up to 50 GHz
/forschung/publikationen/nonlinear-modeling-of-sige-hbts-up-to-50-ghz
A new large-signal model for SiGe heterostructure bipolar transistors (HBT’s) is presented that includes nonideal leakage currents, Kirk-effect, and thermal behavior. The parameters are extracted…