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International Workshop on Nitride Semiconductors
/termine/international-workshop-on-nitride-semiconductors-1
Das FBH ist mit mehreren Voträgen und Postern auf der IWN 2014 vertreten.
UV-Laserritzen zur Vereinzelung von Laserdioden auf Basis von GaN
/forschung/forschungsnews/uv-laserritzen-zur-vereinzelung-von-laserdioden-auf-basis-von-gan
Am FBH wird ein gepulster Nanosekundenlaser (Pulslänge < 30 ns) mit einer Wellenlänge von 355 nm erfolgreich eingesetzt, um das Material zu ritzen und nachfolgend zu spalten. GaN…
Fortschritte bei On-Wafer-Messungen im W-Band
/forschung/forschungsnews/fortschritte-bei-on-wafer-messungen-im-w-band
Bei der Charakterisierung integrierter Schaltungen kommen Messspitzen zum Einsatz, die das Messergebnis – vor allem bei höheren Frequenzen – stark verfälschen können. Um diese parasitären Effekte im…
Markus Weyers - Ernennung zum außerplanmäßigen Professor
/forschung/forschungsnews/markus-weyers-ernennung-zum-ausserplanmaessigen-professor
Markus Weyers, Abteilungsleiter Materialtechnologie am FBH, wurde am 16.06.2014 zum außerplanmäßigen Professor der Technischen Universität Berlin ernannt.
Hochauflösende Diagnostik an High Electron Mobility Transistoren
/forschung/forschungsnews/hochaufloesende-diagnostik-an-high-electron-mobility-transistoren
Frank AltmannFraunhofer Institut für Werkstoffmechanik, Freiburg
Optische Mikroresonatoren in SiO2
/forschung/forschungsnews/optische-mikroresonatoren-in-sio2
Christoph PyrlikFerdinand-Braun-Institut, Berlin
EFTF 2014
/termine/eftf-2014
Das FBH ist auf dem EFTF - European Frequency and Time Forum vertreten.
ICORS 2014
/termine/icors-2014
Treffen Sie FBH-Wissenschaftler auf der internationalen Konferenz zu Raman Spektroskopie.
AlN-Schichten mit reduzierten Versetzungsdichten als Basis für optoelektronische Bauelemente mit Emission im ultravioletten Spektralbereich
/forschung/forschungsnews/aln-schichten-mit-reduzierten-versetzungsdichten-als-basis-fuer-optoelektronische-bauelemente-mit-emission-im-ultravioletten-spektralbereich
Für Leuchtdioden im ultravioletten Wellenlängenbereich müssen AlN-Pufferschichten mit reduzierten Versetzungsdichten hergestellt werden. Um die Anzahl von Kristalldefekten zu reduzieren, ist…