Epitaxie von III/V-Halbleitern

Auf dem 29. Workshop des DGKK-Arbeitskreis Epitaxie von III/V-Halbleitern ist das FBH mit folgenden beiträgen vertreten:

• HVPE Al_0.5Ga_0.5N Templates
• Ursprung des polykristallinen Wachstums bei der Hydrid-Gasphasenepitaxie von AlGaN auf Saphir
• Growth and characterization of semi-polar {(11-22} GaN on 100 mm diameter r-plane patterned sapphire substrates

Konferenz: 11.-12.12.2014, Magdeburg