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Milliwatt power 233 nm far-UVC LEDs on sapphire substrates
/forschung/forschungsnews/milliwatt-power-233-nm-far-uvc-leds-on-sapphire-substrates
Far-UVC LEDs are attractive for applications like monitoring of gas concentrations and measurement of nitrite in water. FBH and TU Berlin have developed 233 nm AlGaN-based far-UVC LEDs with…
Zuverlässige Halbleiter für Space und Quantentechnologien – von Chips bis zu Systemen
/media-center/presseinformationen/zuverlaessige-halbleiter-fuer-space-und-quantentechnologien-von-chips-bis-zu-systemen
Das Ferdinand-Braun-Institut präsentiert auf der „Space Tech Expo Europe“ in Bremen weltraumtaugliche, ultra-schmalbandige Diodenlaser-Module und optische Frequenzreferenzen sowie weitere…
Patterning toolbox FIB-o-mat – exploiting the full potential of focused ion and electron beams for nanofabrication
/forschung/forschungsnews/patterning-toolbox-fib-o-mat-to-exploit-the-full-potential-of-focused-ion-and-electron-beams-for-nanofabrication
FBH provides an open-source Python toolbox for automating and optimizing direct writing with focused ion beams. The power of the toolbox has been demonstrated by, among others, the creation of…
Paper zu optimierten 233 nm UV-LEDs unter den Top-Veröffentlichungen bei APL
/media-center/presseinformationen/paper-zu-optimierten-233-nm-uv-leds-unter-den-top-veroeffentlichungen-bei-apl
Die Publikation "Milliwatt power 233 nm AlGaN-based deep UV-LEDs on sapphire substrates" von Neysha Lobo Ploch et. al. ist unter den Top 10 der "Trending Articles" bei Applied Physics…
Photonics West 2022
/termine/photonics-west-2022
FBH-Wissenschaftler präsentieren aktuelle Ergebnisse auf der kommenden Photonics West
Aufbau- & Verbindungstechnik
/forschung/iii/v-technologie/aufbau-verbindungstechnik
Viele Halbleiterchips, wie etwa Hochleistungs-Laserdioden oder Mikrowellen-Leistungstransistoren, können nur auf Wärmesenken und/oder in Gehäusen vollständig charakterisiert werden. In der Aufbau-…
Prozesstechnologie
/forschung/iii/v-technologie/prozesstechnologie
Wir bearbeiten Wafer von 2" bis 100 mm und unterschiedliche Substrate (GaAs, InP, Si, SiC, Saphir, GaN) mit hoher Reproduzierbarkeit. Mit einem modernen, nach industriellen Maßstäben ausgestatteten…
Materialtechnologie
/forschung/iii/v-technologie/materialtechnologie
Wir nutzen unsere technologische Infrastruktur auch für Aufträge von externen Partnern, indem wir z. B. Prozessmodule bereitstellen, Epitaxiestrukturen liefern oder Gerätedemonstratoren entwickeln…
Technologien & Prozesse
/forschung/iii/v-elektronik/technologien-prozesse
In der III/V-Elektronik arbeiten wir eng mit der Material- und Prozesstechnologie sowie der Aufbau- und Verbindungstechnik zusammen – mit den entsprechenden Kompetenzen und Ressourcen im eigenen…
Leistungselektronik auf GaN, AlN & GaO
/forschung/iii/v-elektronik/leistungselektronik-auf-gan-aln-gao
Wide-Bandgap-Bauelemente Wir entwickeln und realisieren besonders verlustarme Schalttransistoren für effiziente und kompakte leistungselektronische Konverter. Dabei machen wir uns die hohe…