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Schmalbandiges GaN-basiertes Diodenlasersystem zur Erzeugung von DUV-Laserlicht für die Ramanspektroskopie
/forschung/forschungsnews/schmalbandiges-gan-basiertes-diodenlasersystem-zur-erzeugung-von-duv-laserlicht-fuer-die-ramanspektroskopie
Am FBH wurde erstmals ein GaN-basiertes Hochleistungs-Diodenlaser-System mit einer optischen Ausgangsleistung von 400 mW und schmalbandiger Emission bei 445 nm realisiert. Mithilfe eines…
Differenzieller GaN-Leistungsoszillator für kompakte Plasmaquellen im 2,45 GHz-Frequenzband
/forschung/forschungsnews/differenzieller-gan-leistungsoszillator-fuer-kompakte-plasmaquellen-im-245-ghz-frequenzband
Leistungsoszillatoren können wesentlich zur Miniaturisierung zukünftiger Generatoren im Bereich der Mikrowellenerwärmung und Plasmatechnik beitragen, da sie das Mikrowellensignal in einer einzigen…
AlGaN photodetectors for the UV-C spectral region on planar and epitaxial laterally overgrown AlN/sapphire templates
/forschung/publikationen/algan-photodetectors-for-the-uv-c-spectral-region-on-planar-and-epitaxial-laterally-overgrown-alnsapphire-templates
We present Schottky type metal semiconductor metal (MSM) AlGaN photodetectors (PDs) suited for the ultraviolet C (UV-C) spectral region grown on conventional planar AlN templates in comparison with…
Effect of TMGa preflow on the properties of high temperature AlN layers grown on sapphire
/forschung/publikationen/effect-of-tmga-preflow-on-the-properties-of-high-temperature-aln-layers-grown-on-sapphire
The effect of a trimethylgallium (TMGa) preflow on the structural and optical properties of MOCVD grown AlN layers on sapphire substrates is investigated. Secondary ion mass spectroscopy measurements…
HVPE growth of thick Al0.45Ga0.55N layers on trench patterned sapphire substrates
/forschung/publikationen/hvpe-growth-of-thick-al045ga055n-layers-on-trench-patterned-sapphire-substrates
In this work results on the influence of the total pressure, V/III ratio and substrate miscut direction on the growth of Al0.45Ga0.55N on trench patterned sapphire by hydride vapour phase epitaxy are…
Integrated 13 GHz ps-pulse-source at 1064 nm
/forschung/publikationen/integrated-13nbspghz-ps-pulse-source-at-1064nbspnm
We present an integrated pulse source at 1064 nm and discuss design, fabrication and measurement results of the 3.5 mm long ridge-waveguide distributed Bragg reflector laser. The optical…
Narrow Linewidth of 633-nm DBR Ridge-Waveguide Lasers
/forschung/publikationen/narrow-linewidth-of-633-nm-dbr-ridge-waveguide-lasers
Compact laser sources with long coherence lengths in the visible spectral region are sought for many applications. This letter presents distributed-Bragg-reflector (DBR) ridgewaveguide (RW) lasers…
MOVPE-grown AlxGa1-xAsyP1-y strain compensating layers on GaAs
/forschung/publikationen/movpe-grown-alxga1-xasyp1-y-strain-compensating-layers-on-gaas
We demonstrate the substitution of Al0.85GaAs layers, used as claddings in edge-emitting diode lasers, with tensile strained Al0.85GaAs0.96P layers to reduce the room temperature wafer bow.…
MOVPE growth of Al0.85Ga0.15As for high power laser diodes emitting at 808 nm
/forschung/publikationen/movpe-growth-of-al085ga015as-for-high-power-laser-diodes-emitting-at-808nbspnm
Al0.85Ga0.15As cladding layers in 808 nm laser diodes grown by MOVPE result in inferior device performance when grown with the same growth parameters as the standard Al0.7Ga0.3As cladding…
In-situ etching of patterned GaAs/InGaP surfaces for highly efficient 975 nm DFB-BA diode lasers
/forschung/publikationen/in-situ-etching-of-patterned-gaasingap-surfaces-for-highly-efficient-975-nm-dfb-ba-diode-lasers
In-situ etching with CBr4 has been used to form buried Bragg gratings in AlGaAs-based broad area diode lasers with distributed feedback (DFB-BA) by pattern transfer into In0.49Ga0.51P within the…