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GaAs-basierte Phasenmodulatoren bei 780 nm Wellenlänge – eine Alternative zu kristallbasierten Modulatoren
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Chipbasierte Phasenmodulatoren ermöglichen es, Phasensteuerung und Modulation in hybride Lasersyteme und Spektroskopiemodule zu mikrointegrieren. Phasenmodulatoren auf Basis von…
UV-B-LEDs mit hoher Robustheit und Zuverlässigkeit
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Um die Lebensdauer heute verfügbarer UV-B-LEDs zu erhöhen, werden am FBH ausgedehnte Stresstests durchgeführt. Dabei werden relevante Degradationsmechanismen studiert - die ersten Ergebnisse sind…
Optische Polarisation in AlGaN – von Materialeigenschaften bis zur Vorhersage der Emissionseigenschaften optoelektronischer Bauelemente
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Das FBH entwickelt in enger Zusammenarbeit mit der TU Berlin AlGaN-basierte UV-Leuchtdioden und Laserdioden für den Wellenlängenbereich 200 – 350 nm. Kürzlich konnte der LED-Betrieb bis…
Verbesserte Simulation von Oberflächengittern höherer Bragg-Ordnung
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Die Emissionsbandbreite von Halbleiterlasern lässt sich durch Einbringen von Bragg-Gittern in den Resonator bis in den Femtometerbereich reduzieren. Die Gitter lassen sich kostengünstig durch das…
Geringere Versetzungsdichten – Saphir-Strukturierung für GaN/AlGaN-ELOG-Templates
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Das epitaktische Wachstum von GaN/AlGaN-Schichten bei der Herstellung von UV-LEDs gewinnt zunehmend an Bedeutung. Um die interne Quanteneffizienz der Lichtemitter zu verbessern, muss die…
Selbstsperrende 65 mOhm / 600 V GaN-Schalttransistoren für effiziente Energiewandlung
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Mit einem neuartigen Layout, das für eine effizientere Ausnutzung der Halbleiterfläche ausgelegt ist, wurden am FBH neue 600 V Transistoren mit geringem Einschaltwiderstand realisiert. Dieser…
750 mW Zwei-Wellenlängen-Diodenlaserlichtquelle bei 785 nm für die Raman-Spektroskopie
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Das FBH hat ein Diodenlasersystem entwickelt, das Licht auf zwei nahe beieinander liegenden Wellenlängen um 785 nm emittiert. Diese Lichtquelle ist ideal für die Shifted Excitation Raman…
AlGaN-basierte Halbleiterlaser mit Emission im tiefen ultravioletten Spektralbereich
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Kompakte Halbleiterlaser, die im UV-C-Spektralbereich ≤ 280 nm emittieren, sind u.a. für die medizinische Diagnostik und die Materialbearbeitung attraktiv. Die Realisierung solcher Laser…
940 nm QCW Pumpmodule mit 6 kW Lichtleistung am Faserausgang
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Das FBH hat fasergekoppelte Pumpmodule für ein CPA-Scheibenlasersystem mit hoher Repetitionsrate im Joule-Bereich entwickelt. Die Diodenlaser-Pumpmodule sind für 6 kW, 1 ms-Impulse mit…
Selbstsperrende 75 mOhm / 600 V GaN-Schalttransistoren auf SiC- und Si-Substraten
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GaN-basierte Leistungstransistoren für hohe Spannungen ermöglichen effiziente Leistungskonverter mit besonders hoher Leistungsdichte. Das FBH hat nun seine 600-V-Technologie für selbstsperrende…