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Dynamics of a gain-switched distributed feedback ridge waveguide laser in nanoseconds time scale under very high current injection conditions
/forschung/publikationen/dynamics-of-a-gain-switched-distributed-feedback-ridge-waveguide-laser-in-nanoseconds-time-scale-under-very-high-current-injection-conditions
We present detailed experimental investigations of the temporal, spectral and spatial behavior of a gain-switched distributed feedback (DFB) laser emitting at a wavelength of 1064 nm.…
Development of narrow linewidth, micro-integrated extended cavity diode lasers for quantum optics experiments in space
/forschung/publikationen/development-of-narrow-linewidth-micro-integrated-extended-cavity-diode-lasers-for-quantum-optics-experiments-in-space
We present a micro-integrated extended cavity diode laser module for experiments on rubidium Bose-Einstein condensates and atom interferometry at 780.24 nm onboard a sounding rocket. The…
AlGaN layer structures for deep UV emitters on laterally overgrown AlN/sapphire templates
/forschung/publikationen/algan-layer-structures-for-deep-uv-emitters-on-laterally-overgrown-alnsapphire-templates
The crystalline perfection of n-type AlxGa1-xN layers with Al content higher than x>0.4 on epitaxial laterally overgrown AlN was investigated by high resolution X-ray diffraction,…
Controlled coalescence of MOVPE grown AlN during lateral overgrowth
/forschung/publikationen/controlled-coalescence-of-movpe-grown-aln-during-lateral-overgrowth
The substrate miscut orientation of c-plane sapphire has an impact on the lateral growth and coalescence of AlN during epitaxial lateral overgrowth of patterned AlN/sapphire templates. A faster and…
Impact of AlN nucleation layer on strain in GaN grown on 4H-SiC substrates
/forschung/publikationen/impact-of-aln-nucleation-layer-on-strain-in-gan-grown-on-4h-sic-substrates
The impact of AlN nucleation layers on the strain evolution in a subsequent GaN layer was investigated by in-situ wafer curvature measurement. It is shown that growth temperature and thickness of the…
Predominant growth of non-polar a-plane (Al,Ga)N on patterned c-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
/forschung/publikationen/predominant-growth-of-non-polar-a-plane-algan-on-patterned-c-plane-sapphire-by-hydride-vapor-phase-epitaxy
We report for the first time on predominant growth of non-polar a-plane (Al,Ga)N layers on patterned c-plane AlN/sapphire templates with ridges oriented along the [1100]Al2O3 direction. The layers…
Interferometry with Bose-Einstein Condensates in Microgravity
/forschung/publikationen/interferometry-with-bose-einstein-condensates-in-microgravity
Atom interferometers covering macroscopic domains of space-time are a spectacular manifestation of the wave nature of matter. Because of their unique coherence properties, Bose-Einstein condensates…
Laserstrahlquellen für Atominterferometrie unter Schwerelosigkeit
/forschung/forschungsnews/laserstrahlquellen-fuer-atominterferometrie-unter-schwerelosigkeit
Die Schwerelosigkeit eignet sich ideal für quantenoptische Experimente, da sich unter diesen Bedingungen das inzwischen mögliche Potenzial hinsichtlich Präzision und Messgenauigkeit voll ausschöpfen…
UV-LEDs mit dominanter Emission bei Wellenlängen <240 nm
/forschung/forschungsnews/uv-leds-mit-dominanter-emission-bei-wellenlaengen-lt240-nm
Durch ein neues Heterostrukturdesign und eine sorgfältige Optimierung der Halbleiterschichtstrukturen ist es dem FBH und der TU Berlin im Rahmen ihres Joint Labs gelungen, UV-LEDs mit einer…
Präzise Messungen mit hoher räumlicher Auflösung zur Optimierung von violett-blauen GaN-Laserdioden
/forschung/forschungsnews/praezise-messungen-mit-hoher-raeumlicher-aufloesung-zur-optimierung-von-violett-blauen-gan-laserdioden
GaN-basierte Laser, die im blauen und violetten Spektralbereich emittieren, zeigen verglichen mit Infrarot-emittierenden Lasern noch immer eine geringere Ausgangsleistung und Effizienz. Um die…