Suche
Regeln für die Suche
- Nur Wörter mit 2 oder mehr Zeichen werden akzeptiert
- Maximal 200 Zeichen insgesamt
- Leerzeichen werden zur Trennung von Worten verwendet, "" kann für die Suche nach ganzen Zeichenfolgen benutzt werden (keine Indexsuche)
- UND, ODER und NICHT sind Suchoperatoren, die den standardmäßigen Operator überschreiben. +/|/- entspricht UND, ODER und NICHT als Operatoren
- Alle Suchwörter werden zu Kleinschreibung konvertiert
Selbstsperrende 65 mOhm / 600 V GaN-Schalttransistoren für effiziente Energiewandlung
/forschung/forschungsnews/selbstsperrende-65-mohm-600-v-gan-schalttransistoren-fuer-effiziente-energiewandlung
Mit einem neuartigen Layout, das für eine effizientere Ausnutzung der Halbleiterfläche ausgelegt ist, wurden am FBH neue 600 V Transistoren mit geringem Einschaltwiderstand realisiert. Dieser…
750 mW Zwei-Wellenlängen-Diodenlaserlichtquelle bei 785 nm für die Raman-Spektroskopie
/forschung/forschungsnews/750-mw-zwei-wellenlaengen-diodenlaserlichtquelle-bei-785-nm-fuer-die-raman-spektroskopie
Das FBH hat ein Diodenlasersystem entwickelt, das Licht auf zwei nahe beieinander liegenden Wellenlängen um 785 nm emittiert. Diese Lichtquelle ist ideal für die Shifted Excitation Raman…
AlGaN-basierte Halbleiterlaser mit Emission im tiefen ultravioletten Spektralbereich
/forschung/forschungsnews/algan-basierte-halbleiterlaser-mit-emission-im-tiefen-ultravioletten-spektralbereich
Kompakte Halbleiterlaser, die im UV-C-Spektralbereich ≤ 280 nm emittieren, sind u.a. für die medizinische Diagnostik und die Materialbearbeitung attraktiv. Die Realisierung solcher Laser…
940 nm QCW Pumpmodule mit 6 kW Lichtleistung am Faserausgang
/forschung/forschungsnews/940-nm-qcw-pumpmodule-mit-6-kw-lichtleistung-am-faserausgang
Das FBH hat fasergekoppelte Pumpmodule für ein CPA-Scheibenlasersystem mit hoher Repetitionsrate im Joule-Bereich entwickelt. Die Diodenlaser-Pumpmodule sind für 6 kW, 1 ms-Impulse mit…
Selbstsperrende 75 mOhm / 600 V GaN-Schalttransistoren auf SiC- und Si-Substraten
/forschung/forschungsnews/selbstsperrende-75-mohm-600-v-gan-schalttransistoren-auf-sic-und-si-substraten
GaN-basierte Leistungstransistoren für hohe Spannungen ermöglichen effiziente Leistungskonverter mit besonders hoher Leistungsdichte. Das FBH hat nun seine 600-V-Technologie für selbstsperrende…
Digitale Doherty-Sendeverstärker für die mobile Infrastruktur des SDR der Zukunft
/forschung/forschungsnews/digitale-doherty-sendeverstaerker-fuer-die-mobile-infrastruktur-des-sdr-der-zukunft
Digitale Verstärkerkonzepte sind besonders attraktiv, wenn die drahtlose Infrastruktur weiter optimiert werden soll. Werden nämlich alle Signale bis zur Endstufe digital verarbeitet, vereinfacht das…
Simulation of RF Power Distribution in a Packaged GaN Power Transistor Using an Electro-Thermal Large-Signal Description
/forschung/publikationen/simulation-of-rf-power-distribution-in-a-packaged-gan-power-transistor-using-an-electro-thermal-large-signal-description
A comprehensive electro-thermal model of a packaged GaN high electron-mobility transistor (GaN-HEMT) is presented. It includes an RF large-signal description, as well as thermal coupling between the…
InP-DHBT-on-BiCMOS Technology With fT/fmax of 400/350 GHz for Heterogeneous Integrated Millimeter-Wave Sources
/forschung/publikationen/inp-dhbt-on-bicmos-technology-with-ftfmax-of-400350-ghz-for-heterogeneous-integrated-millimeter-wave-sources
This paper presents a novel InP-SiGe BiCMOS technology using wafer-scale heterogeneous integration. The vertical stacking of the InP double heterojunction bipolar transistor (DHBT) circuitry directly…
Local Structure and Defect Chemistry of [(SnSe)1.15]m(TaSe2) Ferecrystals - a New Type of Layered Intergrowth Compound
/forschung/publikationen/local-structure-and-defect-chemistry-of-snse115mtase2-ferecrystals-a-new-type-of-layered-intergrowth-compound
The atomic structure of the family of ferecrystals [(SnSe)1.15]m(TaSe2) (m = 1, 3, and 6) was investigated by means of transmission electron microscopy. The tantalum in the TaSe2…
Ohmic Contacts on N-Face n-Type GaN After Low Temperature Annealing
/forschung/publikationen/ohmic-contacts-on-n-face-n-type-gan-after-low-temperature-annealing
The electrical properties of different metal systems for ohmic contacts on the nitrogen-face of c-plane n-type GaN substrates are investigated. The metal contacts are compatible with the fabrication…