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DRIP XX
/termine/drip-xx
Das FBH ist mit einem in Kooperation mit dem MBI erstellten Konferenzbeitrag an der 20. International Conference on Defects – Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors beteiligt.
Defect Reduction and Yield Improvement of MIM Capacitors
/forschung/publikationen/defect-reduction-and-yield-improvement-of-mim-capacitors
The aim of this work is to observe and analyze strain related effects in MIM capacitor structures that lead to a degradation of fabrication yield. Our results indicate that the strain difference…
Subtractive WSiN thin film resistors for RF GaN and InP MMICs
/forschung/publikationen/subtractive-wsin-thin-film-resistors-for-rf-gan-and-inp-mmics
In this study, WSiN-based thin film resistors are implemented and characterized as an alternative to NiCr-based resistors in GaN and InP MMICs. This approach simplifies the fabrication process by…
AVS ALD/ALE 2024
/termine/avs-aldale-2024
Das FBH präsentiert seine neuesten Forschungsergebnisse auf der AVS 24th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2024) und dem angeschlossenen 11th International Atomic Layer Etching…
Möglichkeit zur „technologischen Souveränität“ durch Aluminiumnitrid-Leistungshalbleiter
/media-center/medienschau/moeglichkeit-zur-technologischen-souveraenitaet-durch-aluminiumnitrid-leistungshalbleiter
Eine Forschungspartnerschaft hält eine deutsche Wertschöpfungskette vom Grundmaterial bis zur Bauelementefertigung für machbar. Das Material sei den zum Beispiel auch in Photovoltaik-Wechselrichtern…
Leistungshalbleiter mit Aluminiumnitrid – made in Germany
/media-center/medienschau/leistungshalbleiter-mit-aluminiumnitrid-made-in-germany
Deutsche Forschungspartner demonstrieren erstmals die praktische Umsetzung einer Aluminiumnitrid-basierten Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter - vom Grundmaterial bis zur Bauelementfertigung.
Neuer Halbleiter besser als SiC und GaN
/media-center/medienschau/neuer-halbleiter-besser-als-sic-und-gan
Eine neue, auf Aluminiumnitrid (AlN) basierende Halbleitertechnologie für leistungselektronische Transistoren und mmWellen-Hochfrequenzschaltungen hat das Potenzial, die Verluste bei der Umwandlung…
German researchers demo practical implementation of AlN-based value chain for power semiconductors
/media-center/medienschau/german-researchers-demo-practical-implementation-of-aln-based-value-chain-for-power-semiconductors
In power electronics, conventional silicon devices are being replaced by more powerful wide-bandgap (WBG) semiconductors with superior physical and electrical properties. Silicon carbide (SiC) has…
Adlershofer FBH im Team für neuartiges Halbleitermaterial
/media-center/medienschau/adlershofer-fbh-im-team-fuer-neuartiges-halbleitermaterial
"Made in Germany": Forschungspartner demonstrieren erstmals praktische Umsetzung einer Aluminiumnitrid-basierten Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter
German research cluster announces AlN success
/media-center/medienschau/german-research-cluster-announces-aln-success-1
A new semiconductor technology based on AlN for power electronic transistors as well as mmWave radio-frequency circuits has the potential to significantly reduce losses in electrical energy…