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FBH führt europäische diodengepumpte Laserprojekte an – EuPRAXIA wählt zweiten lasergetriebenen Beschleunigerstandort
/media-center/presseinformationen/fbh-fuehrt-europaeische-diodengepumpte-laserprojekte-an-eupraxia-waehlt-zweiten-lasergetriebenen-beschleunigerstandort
Das EuPRAXIA-Konsortium hat ELI Beamlines, einen Teil der ELI ERIC in der Tschechischen Republik, als Standort für seinen zweiten, lasergetriebenen Plasma-Beschleuniger ausgewählt. Mit dieser…
Das Ferdinand-Braun-Institut in Leichter Sprache
/leichte-sprache
Herzlich willkommen! Hier finden Sie Infos über das Ferdinand-Braun-Institut. Die Erklärungen sind in Leichter Sprache geschrieben. So sind sie besser zu verstehen. Was ist das…
Das Ferdinand-Braun-Institut in Deutscher Gebärdensprache
/deutsche-gebaerdensprache
Erfahren Sie in den Videos in Deutscher Gebärdensprache alles Wichtige über unser Institut. Hier sehen Sie, wie unser Internetportal aufgebaut ist und wie Sie schnell die Informationen finden, die…
Editorial
/forschung/publikationen/editorial
After initial proof-of-concept demonstrations, power- and efficiency-scaling are a central goal of semiconductor laser development, for broad societal benefits, reducing energy consumption and…
Defects and reliability of UVC-LEDs
/forschung/publikationen/defects-and-reliability-of-uvc-leds
Defects and reliability of UVC-LEDs M. Buffolo1, F. Piva1, N. Roccato1, C. De Santi1, T. Wernicke2, J. Höpfner2, M. Schilling2, A. Muhin2,…
Light Extraction and External Quantum Efficiency of 235 nm Far–Ultraviolet-C Light-Emitting Diodes on Single-Crystal AlN Substrates
/forschung/publikationen/light-extraction-and-external-quantum-efficiency-of-235nm-far-ultraviolet-c-light-emitting-diodes-on-single-crystal-aln-substrates
The effect of bulk AlN single-crystal substrate thickness on the light extraction efficiency and external quantum efficiency of far ultraviolet-C light emitting diodes (far-UVC LEDs) has been…
Importance of Scaling in RF GaN HEMTs for Reduction of Surface Traps-Induced Drain Lag
/forschung/publikationen/importance-of-scaling-in-rf-gan-hemts-for-reduction-of-surface-traps-induced-drain-lag
Drain lag is a well-known phenomenon that leads to radio frequency performance degradation in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors. Herein, it is demonstrated that a reduction of the…
Time-Resolved Investigations of the Capacitive to Inductive Transition in a Microwave-Driven Plasma Source
/forschung/publikationen/time-resolved-investigations-of-the-capacitive-to-inductive-transition-in-a-microwave-driven-plasma-source
Measurement of resonances requires data acquisition at different frequencies. Tracing the evolution of a resonance, therefore, requires a long time for each step. Reproducible events allow us to…
Combining Bayesian Optimization, Singular Value Decomposition, and Machine Learning for Advanced Optical Design
/forschung/publikationen/combining-bayesian-optimization-singular-value-decomposition-and-machine-learning-for-advanced-optical-design
The design and optimization of optical components, such as Bragg gratings, are critical for applications in telecommunications, sensing, and photonic circuits. To overcome the limitations of…
Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD)
/kooperationen/forschungsfabrik-mikroelektronik-deutschland
Um die Position der europäischen Halbleiter- und Elektronikindustrie im globalen Wettbewerb zu stärken, haben sich 13 Fraunhofer-Institute mit dem Ferdinand-Braun-Institut und dem Leibniz-Institut…