Suche
Regeln für die Suche
- Nur Wörter mit 2 oder mehr Zeichen werden akzeptiert
- Maximal 200 Zeichen insgesamt
- Leerzeichen werden zur Trennung von Worten verwendet, "" kann für die Suche nach ganzen Zeichenfolgen benutzt werden (keine Indexsuche)
- UND, ODER und NICHT sind Suchoperatoren, die den standardmäßigen Operator überschreiben. +/|/- entspricht UND, ODER und NICHT als Operatoren
- Alle Suchwörter werden zu Kleinschreibung konvertiert
Wavelength stabilized diode lasers with epitaxially-stacked multiple active regions and tunnel junctions for LiDAR applications
/forschung/forschungsnews/wavelength-stabilized-diode-lasers-with-epitaxially-stacked-multiple-active-regions-and-tunnel-junctions-for-lidar-applications
FBH succeeded in fabricating a GaAs-based distributed Bragg reflector laser with an enhanced slope efficiency. To achieve this, two tunnel junctions and three active regions were placed into the…
Frisch gedruckt - frequent "FBH developments for space"
/media-center/presseinformationen/frisch-gedruckt-frequent-zu-fbh-entwicklungen-fuer-weltraumanwendungen
Seit mehr als 20 Jahren beliefern wir Partner in Industrie und Wissenschaft mit maßgeschneiderten Lösungen für Weltraum-Anwendungen. Einen Überblick unserer aktuellen Entwicklungen bietet die neue…
Neu erschienen: der FBH-Jahresbericht
/media-center/presseinformationen/neu-erschienen-der-fbh-jahresbericht
mit den wichtigsten Ereignissen aus den Jahren 2020 und 2021.
FBH_frequent_14-2021_online.pdf
/fileadmin/downloads/Publications/frequent/FBH_frequent_14-2021_online.pdf
frequent FBH developments for space Wa pplication under challenging conditions W s paceborne quantum optical metrology W l asers for climate monitoring & ultrafast optical communication W…
Mathematik trifft Halbleitertechnologie: Entwicklung neuer und kompakter UV-C-Laser für Medizin und Biotechnologie
/media-center/presseinformationen/mathematik-trifft-halbleitertechnologie-entwicklung-neuer-und-kompakter-uv-c-laser-fuer-medizin-und-biotechnologie
Die Leibniz-Gemeinschaft fördert das Verbundprojekt „UV-Laser - Von der Modellierung und Simulation zur Technologie (UVSimTech)“ über drei Jahre mit knapp 1 Mio. € im Rahmen des Leibniz-Wettbewerbes
Basis for improved UV LEDs – high-quality aluminum nitride by high-temperature annealing
/forschung/forschungsnews/basis-for-improved-uv-leds-high-quality-aluminum-nitride-by-high-temperature-annealing
The combination of high-temperature annealing with epitaxial growth on a sapphire surface results in aluminum nitride base layers with very low defect density. This increases the light emission and…
Optimisation of SHG for high-brightness semiconductor laser diode radiation with large aberrations
/forschung/publikationen/optimisation-of-shg-for-high-brightness-semiconductor-laser-diode-radiation-with-large-aberrations
The optimisation of SHG by semiconductor diode lasers is treated by taking into account three items: A SHG-merit function for using quasi phase matching, the optimisation of micro optics and possible…
Highly strained InGaAs/GaAs quantum wells emitting beyond 1.2 µm
/forschung/publikationen/highly-strained-ingaasgaas-quantum-wells-emitting-beyond-12nbspmicrom
Highly strained Inx Ga1-x As quantum wells (QWs) with GaAs barriers emitting around 1.2 µm are grown on GaAs substrates by metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) at low growth…
Large-Signal Modeling of High-Voltage GaAs Power HBTs
/forschung/publikationen/large-signal-modeling-of-high-voltage-gaas-power-hbts
This paper presents modeling results for newly developed InGaP/GaAs power HBTs operating at bias voltages up to Vce = 26 V. The devices are flip-chip mounted for heat-sinking and…
A New Multiport Measurement-Method Using a Two-Port Network Analyzer
/forschung/publikationen/a-new-multiport-measurement-method-using-a-two-port-network-analyzer
A new method is presented how to characterize multiport devices using a two-port vector network-analyzer (VNA). Up to now, at least one of the port terminations had to be fully known to measure the…