Paper zu optimierten 233 nm UV-LEDs unter den Top-Veröffentlichungen bei APL

Die Publikation "Milliwatt power 233 nm AlGaN-based deep UV-LEDs on sapphire substrates" von Neysha Lobo Ploch et. al. ist unter den Top 10 der "Trending Articles" bei Applied Physics Letters (APL). Das Paper der Autor*innen aus dem Ferdinand-Braun-Institut, von der TU Berlin und UVphotonics beschäftigt sich mit den technologischen Verbesserungen dieser UV-LEDs entlang der kompletten Prozesskette. Dank der Optimierungen ist es gelungen, die Ausgangsleistung und die Effizienz der Leuchtdioden, die im tiefen UV-Spektralbereich emittieren, deutlich zu erhöhen. Die Chipmontage mit einer UV-transparenten Linse sorgt zudem für eine starke Bündelung der Emission.

Die Entwicklungen wurden im Rahmen des "Advanced UV for Life"-Konsortiums vom Bundesministerium für Bildung und Forschung und der Deutschen Forschungsgemeinschaft im Sonderforschungsbereich 787 "Semiconductor Nanophotonics" gefördert.