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Neu erschienen: frequent zu ultra-widebandgap semiconductor devices
/media-center/presseinformationen/neu-erschienen-frequent-zu-ultra-widebandgap-semiconductor-devices
Die neue Ausgabe der frequent beschäftigt sich mit aktuellen FBH-Entwicklungen, die auf Wide-Bandgap und Ultra-Widebandgap Halbleitern basieren - und ihre zentrale Rolle wenn es darum geht, den…
Adlershofer Forschungsforum 2024: Neue Entwicklungen und strategische Impulse für den Wissenschaftsstandort
/media-center/medienschau/adlershofer-forschungsforum-2024-neue-entwicklungen-und-strategische-impulse-fuer-den-wissenschaftsstandort
Knapp 100 Wissenschaftler/-innen, junge Forschende und Gründende kamen am 11.11.2024 beim Adlershofer Forschungsforum im Erwin Schrödinger-Zentrum zusammen und diskutierten aktuelle Entwicklungen und…
226 nm Far-Ultraviolet-C Light Emitting Diodes with an Emission Power over 2 mW
/forschung/publikationen/226-nm-far-ultraviolet-c-light-emitting-diodes-with-an-emission-power-over-2-mw
Far-ultraviolet-C (far-UVC) light emitting diodes (LED) emitting at an emission wavelength of 226 nm with different n-AlGaN contact layers, quantum well barriers, and quantum well numbers are…
GaN Drift Layers on Sapphire and GaN Substrates for 1.2 kV Class Vertical Power Devices
/forschung/publikationen/gan-drift-layers-on-sapphire-and-gan-substrates-for-12kv-class-vertical-power-devices
The development of processes for epitaxial growth of vertical gallium nitride (GaN) drift layers enabling 1.2 kV breakdown voltage on low-cost sapphire substrates is presented in comparison to…
Switch Integrated Ka-Band Low Noise Amplifier in GaN/AlN HEMT Technology
/forschung/publikationen/switch-integrated-ka-band-low-noise-amplifier-in-ganaln-hemt-technology
This paper presents low noise amplifiers (LNA) with integrated DC and RF switching features for multifunctional single chip RF front end (RFFE) applications. Two 28–32 GHz LNAs, with and without…
Prediction of the Large-Signal GaN HEMT Performance Using Accurate TCAD-Compact Modeling Method
/forschung/publikationen/prediction-of-the-large-signal-gan-hemt-performance-using-accurate-tcad-compact-modeling-method
Accurate prediction of the large-signal power performance of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) can be achieved by combining TCAD device modeling with the RF simulations…
Evaluation of Integrated GaN Diodes as Varactors for Tunable MMIC PAs from C- to K-Band
/forschung/publikationen/evaluation-of-integrated-gan-diodes-as-varactors-for-tunable-mmic-pas-from-c-to-k-band
Variable capacitors (varactors) can act as powerful enablers for reconfigurable RF power amplifiers (PAs) in microwave monolithic integrated circuit (MMIC) technology. While their use for custom…
Deutschland startet eine 12 Millionen Euro teure Mikroelektronik-Akademie, um den Bedarf der Industrie zu decken
/media-center/medienschau/deutschland-startet-eine-12-millionen-euro-teure-mikroelektronik-akademie-um-den-bedarf-der-industrie-zu-decken
Deutschland startet eine 12 Millionen Euro teure Mikroelektronik-Akademie, um den Bedarf der Industrie zu decken Die deutsche Regierung hat eine Initiative gestartet, um den Fachkräftemangel in der…
Bildungsoffensive für die Chipindustrie
/media-center/medienschau/bildungsoffensive-fuer-die-chipindustrie
Fachkräfte für die Chipindustrie sichern – mit diesem Ziel startete am 1. November das vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) geförderte bundesweite Leitprojekt ›Fachkräfte für die…
Bildungsoffensive für deutsche Chipindustrie
/media-center/medienschau/bildungsoffensive-fuer-deutsche-chipindustrie
Am 01.11.2024 startete das BMBF-geförderte Projekt »skills4chips«, um Fachkräfte für die Chipindustrie zu sichern. Kern ist der Aufbau der »Microtec Academy«, einer nationalen Bildungsakademie für…