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Linearitätsanalyse eines 40 Watt Mikrowellen-Leistungsverstärkers mit Klasse-G-Modulation
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Mikrowellen-Leistungsverstärker sind eine wichtige Komponente in drahtlosen Kommunikationssystemen. Durch ihren hohen Energieverbrauch haben sie großen Einfluss auf die Effizienz des Gesamtsystems.…
Jetzt anmelden - zum Mädchen-Technik-Kongress!
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Der 6. Mädchen-Technik-Kongress findet am 9. Oktober 2015 im Wissenschafts- und Technologiepark Adlershof statt. Anmeldeschluss ist der 25. September 2015!
Konzert LichtBlicke
/termine/konzert-lichtblicke
Das Konzert zum Schreibwettbewerb mit Gastauftritt von Elen (Voice of Germany).
UV-C-AlGaN-Photodetektoren mit Kantenwellenlängen unter 220 nm
/forschung/forschungsnews/uv-c-algan-photodetektoren-mit-kantenwellenlaengen-unter-220-nm
UV-Strahlung wird bei vielen Anwendungen mithilfe von Photodetektoren (PD) in einem bestimmten Wellenlängenbereich überwacht. Wir haben unsere Studien zu PDs weitergeführt, die nur im unteren…
Plasmonische GaN-Detektoren und -Emitter für den THz-Bereich
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Am FBH laufen mehrere Projekte auf dem Gebiet der Detektion und Emission bei THz-Frequenzen mithilfe von GaN-HEMTs. Dieser Frequenzbereich eröffnet eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der…
GaAs-basierte Phasenmodulatoren bei 780 nm Wellenlänge – eine Alternative zu kristallbasierten Modulatoren
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Chipbasierte Phasenmodulatoren ermöglichen es, Phasensteuerung und Modulation in hybride Lasersyteme und Spektroskopiemodule zu mikrointegrieren. Phasenmodulatoren auf Basis von…
UV-B-LEDs mit hoher Robustheit und Zuverlässigkeit
/forschung/forschungsnews/uv-b-leds-mit-hoher-robustheit-und-zuverlaessigkeit
Um die Lebensdauer heute verfügbarer UV-B-LEDs zu erhöhen, werden am FBH ausgedehnte Stresstests durchgeführt. Dabei werden relevante Degradationsmechanismen studiert - die ersten Ergebnisse sind…
Optische Polarisation in AlGaN – von Materialeigenschaften bis zur Vorhersage der Emissionseigenschaften optoelektronischer Bauelemente
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Das FBH entwickelt in enger Zusammenarbeit mit der TU Berlin AlGaN-basierte UV-Leuchtdioden und Laserdioden für den Wellenlängenbereich 200 – 350 nm. Kürzlich konnte der LED-Betrieb bis…
Verbesserte Simulation von Oberflächengittern höherer Bragg-Ordnung
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Die Emissionsbandbreite von Halbleiterlasern lässt sich durch Einbringen von Bragg-Gittern in den Resonator bis in den Femtometerbereich reduzieren. Die Gitter lassen sich kostengünstig durch das…
Geringere Versetzungsdichten – Saphir-Strukturierung für GaN/AlGaN-ELOG-Templates
/forschung/forschungsnews/geringere-versetzungsdichten-saphir-strukturierung-fuer-ganalgan-elog-templates
Das epitaktische Wachstum von GaN/AlGaN-Schichten bei der Herstellung von UV-LEDs gewinnt zunehmend an Bedeutung. Um die interne Quanteneffizienz der Lichtemitter zu verbessern, muss die…