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Towards a CMOS-integrated laser based on strained Ge
/termine/towards-a-cmos-integrated-laser-based-on-strained-ge
Towards a CMOS-integrated laser based on strained Ge Dr. Giovanni CapelliniIHP GmbH Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Theoretical studies into limits to peak power in diode lasers
/termine/theoretical-studies-into-limits-to-peak-power-in-diode-lasers
Theoretical studies into limits to peak power in diode lasers Dr. Eugene AvrutinDepartment of Electronics, University of York
Gallium Nitride Marathon
/termine/gallium-nitride-marathon
Auf dem Gallium Nitride Marathon und dem angeschlossenen Workshop zu Galliumnitrid-Technologie in Europa ist das FBH mit mehreren Beiträgen vertreten
VSWR-Schutz von Leistungsverstärkern mit BST-Komponenten
/forschung/forschungsnews/vswr-schutz-von-leistungsverstaerkern-mit-bst-komponenten
Hohe Stehwellenverhältnisse (VSWR) können Halbleiterverstärker durch Überspannung oder thermische Belastung zerstören. Am FBH wurde nun ein neues Konzept zum VSWR-Schutz von Leistungsverstärkern auf…
Watt-level Emission bei 589 nm für biomedizinische Anwendungen
/forschung/forschungsnews/watt-level-emission-bei-589nbspnm-fuer-biomedizinische-anwendungen
Mikrointegrierte Module mit einer Grundfläche von wenigen Quadratzentimetern, die auf Halbleiter-Laser-Chips basieren, ermöglichen einen flexiblen, energieeffizienten sowie wartungsarmen Betrieb.
Adlershof: Mehr Firmen - kaum Jobwachstum
/media-center/medienschau/adlershof-mehr-firmen-kaum-jobwachstum
Die Adlershofer konstatieren eine neue Qualität des Wachstums. "Es ist erstaunlich, dass so viele schwäbische Firmen hier sind", sagte Günther Tränkle, Direktor des Ferdinand-Braun-Instituts
LayTec details accurate wafer temperature measurement during GaN-on-Si MOCVD for power electronics
/media-center/medienschau/laytec-details-accurate-wafer-temperature-measurement-during-gan-on-si-mocvd-for-power-electronics
Temperature measurement during metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of GaN-on-silicon (GaN/Si) devices is challenging, notes in-situ metrology system maker LayTec AG of Berlin,…
Technologiepark verzeichnet ein üppiges Plus
/media-center/medienschau/technologiepark-verzeichnet-ein-ueppiges-plus
Mittelständler aus Süddeutschland suchen in Berlin Talente und Kooperation mit Spitzenforschern wie Tränkle und Kontakte zu technologiestarken Start-ups.
Vergleich von GaN-auf-Si Wafern für 600 V Schalttransistoren
/forschung/forschungsnews/vergleich-von-gan-auf-si-wafern-fuer-600-v-schalttransistoren
Zur Herstellung von GaN-basierten selbstsperrenden 600 V / 70 mΩ Schalttransistoren für leistungselektronische Anwendungen setzt das FBH standardisierte Prozessmodule ein. Dabei wurden in einer…