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Suchergebnisse 3951 bis 3960 von 5334

Trumpf eröffnet eine Niederlassung für Laserdioden

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Trumpf eröffnet eine Niederlassung für Laserdioden Enge Zusammenarbeit mit dem Ferdinand-Braun-InstitutArtikel leider nicht  online

Entwicklung von brillanten Breitstreifenlasern für optisches und spektrales Multiplexing

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Entwicklung von brillanten Breitstreifenlasern für optisches und spektrales Multiplexing Jonathan DeckerFerdinand-Braun-Institut, Berlin

Mikro-integriertes Diodenlasersystem für eine Aluminium-Ionen Quantenlogik-Uhr

/termine/mikro-integriertes-diodenlasersystem-fuer-eine-aluminium-ionen-quantenlogik-uhr

Mikro-integriertes Diodenlasersystem für eine Aluminium-Ionen Quantenlogik-Uhr Mandy KrügerFerdinand-Braun-Institut, Berlin

Hohe Impulsliefer-Energien erreichen

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Modul mit 6 kW Lichtleistung basiert auf besonders effizienten, leistungsstarken 940 nm QCW-Diodenlasern aus dem FBH.

Neue Niederlassung für Laserdioden

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Neue Niederlassung für Laserdioden Am 1. Oktober eröffnete der Laserhersteller TRUMPF eine neue Niederlassung für die Vorausentwicklung von Laserdioden in Berlin. In räumlicher Nähe und in…

24-Wellenlängen-DBR-Laserarray mit Oberflächengittern für optische Systeme

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Arrays aus Diodenlasern, die mit definierten räumlichen Abständen auf einem Chip angeordnet sind, sind wichtige Komponenten z.B. für optische Systeme zur präzisen Oberflächendetektion wie etwa…

Dritte Förderphase für Sonderforschungsbereich Halbleiter-Nanophotonik bewilligt

/termine/dritte-foerderphase-fuer-sonderforschungsbereich-halbleiter-nanophotonik-bewilligt

Die Deutsche Forschungsgemeinschaft fördert den Sonderforschungsbereich Halbleiter-Nanophotonik (Sfb 787) für weitere vier Jahre

2.45 GHz Leistungsoszillator zur Plasmaerzeugung mit kompakten Modulen in Matrixanordnung (ZIM-Projekt QUADRIGA)

/termine/245-ghz-leistungsoszillator-zur-plasmaerzeugung-mit-kompakten-modulen-in-matrixanordnung-zim-projekt-quadriga

2.45 GHz Leistungsoszillator zur Plasmaerzeugung mit kompakten Modulen in Matrixanordnung (ZIM-Projekt QUADRIGA) Christian BanslebenFerdinand-Braun-Institut, Berlin

Charakterisierung und Optimierung von (Al, Ga)N-basierten UV-Photodetektoren

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Charakterisierung und Optimierung von (Al, Ga)N-basierten UV-Photodetektoren Moritz BrendelFerdinand-Braun-Institut, Berlin

Epitaxie von III-V Halbleitern

/termine/epitaxie-von-iii-v-halbleitern

Das FBH ist auf dem 30. Arbeitskreistreffen der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung vertreten