Epitaxie von III-V Halbleitern

Auf der Konferenz stellt das FBH aktuelle Forschungsergebnisse vor:

• Advanced in-situ control for GaN-based electronic devices
• Growth and characterization of semi-polar {11-22} GaN on 100mm diameter r-plane patterned sapphire substrates
• HVPE AIGaN Templates
• AIGaN layers grown with HVPE
• Hydride Vapor Phase-Epitaxy of iron-doped GaN layers with diameters up to 100 mm
• Exploring the limits of AIxGa1-xN with high alumininum mole fractions x > 80 %

Zudem findet die öffentliche Abschlusspräsentation des BMBF-Projektes "TeleGaN" statt,  an dem auch das FBH beteiligt ist.