Suche
Regeln für die Suche
- Nur Wörter mit 2 oder mehr Zeichen werden akzeptiert
- Maximal 200 Zeichen insgesamt
- Leerzeichen werden zur Trennung von Worten verwendet, "" kann für die Suche nach ganzen Zeichenfolgen benutzt werden (keine Indexsuche)
- UND, ODER und NICHT sind Suchoperatoren, die den standardmäßigen Operator überschreiben. +/|/- entspricht UND, ODER und NICHT als Operatoren
- Alle Suchwörter werden zu Kleinschreibung konvertiert
Study of in-depth strain variation in ion-irradiated GaN
/forschung/publikationen/study-of-in-depth-strain-variation-in-ion-irradiated-gan
The strain state of (0001) GaN layers grown on 4H-SiC by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) and its change upon ion irradiation was studied by Raman microscopy (RM) and X-ray diffraction…
Degradation model analysis of laser diodes
/forschung/publikationen/degradation-model-analysis-of-laser-diodes
Broad area laser diodes were subjected to accelerated aging until most devices failed. Cathodoluminescence images indicate dark spots after gradual degradation and dark lines after sudden failure.…
Verification of Wafer-level Calibration Accuracy at High Temperatures
/forschung/publikationen/verification-of-wafer-level-calibration-accuracy-at-high-temperatures
This article presents the results of accuracy verification of wafer-level calibration at high temperatures based on coplanar calibration standards. The electrical characteristics of different…
High-frequency time-domain measurement techniques for switch-mode amplifiers
/forschung/publikationen/high-frequency-time-domain-measurement-techniques-for-switch-mode-amplifiers
This paper introduces two measurement techniques for time-domain characterization of switch-mode amplifiers, particularly for class-S and class-D with differential output. GaN HEMT MMICs are…
Punchthrough-Voltage Enhancement of AlGaN/GaN HEMTs Using AlGaN Double-Heterojunction Confinement
/forschung/publikationen/punchthrough-voltage-enhancement-of-algangan-hemts-using-algan-double-heterojunction-confinement
In this paper, we present an enhancement of punchthrough voltage in AlGaN/GaN high-electron-mobilitytransistor devices by increasing the electron confinement in the transistor channel using an AlGaN…
Germany investing €6m in quantum initiative
/media-center/medienschau/germany-investing-eur6m-in-quantum-initiative
Toptica and PTB lead consortium to devise optical single ion clock by 2020; quantum theme is a highlight at LASER 2017.
FBH to Exhibit Latest Advances in Diode Lasers and UV LEDs at LASER 2017
/media-center/medienschau/fbh-to-exhibit-latest-advances-in-diode-lasers-and-uv-leds-at-laser-2017
The Ferdinand-Braun-Institut (FBH) will present the novel developments and advances of its diode lasers and UV LEDs at the upcoming Laser World of Photonics 2017 event to be held in Munich from June…
Schnuppern in der Hightech-Berufswelt
/media-center/medienschau/schnuppern-in-der-hightech-berufswelt
Einladung zur Adlershofer Ausbildungsmesse im MINT-Bereich.
Ideenwettbewerb rund um UV-LEDs
/media-center/medienschau/ideenwettbewerb-rund-um-uv-leds
Ideenwettbewerb rund um UV-LEDs Über die Innovationsplattform HYVE können die Ideen zum Wettbewerb „LEDs Innovate Your Home – UV LED Idea Challenge“ bis zum 15. Mai 2017 eingereicht, gegenseitig…
117,2 Millionen Euro für Mikroelektronik-Forschung in Berlin und Brandenburg - regionale Auftaktveranstaltung für FMD mit Bundesministerin Johanna Wanka
/media-center/presseinformationen/1172-millionen-euro-fuer-mikroelektronik-forschung-in-berlin-und-brandenburg-regionale-auftaktveranstaltung-fuer-fmd-mit-bundesministerin-johanna-wanka
Um die Position der europäischen Halbleiter- und Elektronikindustrie im globalen Wettbewerb zu stärken, entsteht an elf Instituten des Fraunhofer-Verbunds Mikroelektronik und zwei Instituten der…