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Reliability of GaN HEMTs
/termine/reliability-of-gan-hemts
Reliability of GaN HEMTs Prof. Gaudenzio Meneghesso University of Padova, Italy 11.06.2010
Strahlqualität von 980 nm DBR-Trapezlasern
/termine/strahlqualitaet-von-980nbspnm-dbr-trapezlasern
Christian FiebigFerdinand-Braun-Institut
Epitaxie von Laserdiodenstacks mit Tunneldiode
/termine/epitaxie-von-laserdiodenstacks-mit-tunneldiode
Dr. Andre MaaßdorfFerdinand-Braun-Institut
Innovative Transistorchips für Satelliten
/media-center/presseinformationen/innovative-transistorchips-fuer-satelliten
Nahezu jeder Haushalt nutzt die Rechenleistung moderner Hochleistungschips. Für spezielle Anwendungen suchen Forscher jedoch nicht nur nach immer kleineren und schnelleren Transistoren, sondern …
FBH zum dritten Mal familienfreundlicher Betrieb Treptow-Köpenicks
/forschung/forschungsnews/fbh-zum-dritten-mal-familienfreundlicher-betrieb-treptow-koepenicks
Im Rahmen des Unternehmer- und Ausbildungstages Süd-Ost überreichte Bezirksbürgermeisterin Gabriele Schöttler am 3. September den ersten Preis an Günther Tränkle.
Laserdiagnostik in der Mikroverfahrenstechnik
/termine/laserdiagnostik-in-der-mikroverfahrenstechnik
Dr. G. Rinke, Karlsruher Institut für Technologie (KIT), Institut für Mikroverfahrenstechnik
"Berlin WideBaSe" entwickelt Halbleiter für Hochleistungsanwendungen
/media-center/presseinformationen/berlin-widebase-entwickelt-halbleiter-fuer-hochleistungsanwendungen
Halbleiter breiter Bandlücke bieten herausragende Materialeigenschaften und ermöglichen extrem kompakte und sehr schnelle Leistungsbauelemente sowie leistungsstarke UV-Lichtemitter. Berlin WideBaSe…
FBH-Jahresbericht 2009 erschienen
/media-center/presseinformationen/fbh-jahresbericht-2009-erschienen
Informieren Sie sich über Ergebnisse und Entwicklungen des FBH aus dem vergangenen Jahr.
Berlin WideBaSe gestartet
/forschung/forschungsnews/berlin-widebase-gestartet
Im Juli 2010 ist der innovative regionale Wachstumskern Berlin WideBaSe gestartet, bei dem das FBH eine zentrale Rolle spielt.