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Suchergebnisse 1861 bis 1870 von 1876

Soak-Liftprozessor am FBH ermöglicht feinere Strukturen

/forschung/forschungsnews/soak-liftprozessor-am-fbh-ermoeglicht-feinere-strukturen

Am FBH wurde ein spezielles Lift-off-Verfahren entwickelt, mit dem feinste Gate-Strukturen qualitativ einwandfrei geliftet wurden. Dieses Verfahren soll künftig für die Entwicklung innovativer …

Laserstrahlquelle für die kohärente optische Freiraumkommunikation

/termine/laserstrahlquelle-fuer-die-kohaerente-optische-freiraumkommunikation

Stefan Spießberger Ferdinand-Braun-Institut

GaN-HEMT-Entwicklung

/termine/gan-hemt-entwicklung

Dr. Sylvain DelageAlcatel-Thales III-V Lab Marcoussis, France

Anwendung und Herstellung mikro-optischer Komponenten

/termine/anwendung-und-herstellung-mikro-optischer-komponenten

Dr. Stefan HambückerIngeneric GmbH, Aachen

Simulation and Characterization of Nonlinear Effects in RF Power Transistors

/termine/simulation-and-characterization-of-nonlinear-effects-in-rf-power-transistors

Dr. Olof BengtssonFerdinand-Braun-Institut

Reliability of GaN HEMTs

/termine/reliability-of-gan-hemts

Reliability of GaN HEMTs Prof. Gaudenzio Meneghesso University of Padova, Italy 11.06.2010

Strahlqualität von 980 nm DBR-Trapezlasern

/termine/strahlqualitaet-von-980nbspnm-dbr-trapezlasern

Christian FiebigFerdinand-Braun-Institut

GaN-HEMT-Benchmarking

/termine/gan-hemt-benchmarking

Dr. Paul Kurpas Ferdinand-Braun-Institut

Epitaxie von Laserdiodenstacks mit Tunneldiode

/termine/epitaxie-von-laserdiodenstacks-mit-tunneldiode

Dr. Andre MaaßdorfFerdinand-Braun-Institut

Innovative Transistorchips für Satelliten

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Nahezu jeder Haushalt nutzt die Rechenleistung moderner Hochleistungschips. Für spezielle Anwendungen suchen Forscher jedoch nicht nur nach immer kleineren und schnelleren Transistoren, sondern …