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Forschung, die unter die Haut geht
/media-center/presseinformationen/forschung-die-unter-die-haut-geht
Die Einstein Stiftung Berlin fördert das interdisziplinäre Forschungsvorhaben "HautScan". Mit dabei ist auch das Ferdinand-Braun-Institut.
Aus Forschung eine Menge machen
/media-center/medienschau/aus-forschung-eine-menge-machen
Artikel zur Verleihung des Transferpreises 2012 der Technologiestiftung Berlin an das FBH für die Entwicklung von sehr leistungsstarken Diodenlasern.
Photonik Chips aus Berlin-Brandenburg
/termine/photonik-chips-aus-berlin-brandenburg
1. Handlungsfeldkonferenz Optische Kommunikationstechnik -Veranstaltung des Cluster Optik Berlin-Brandenburg
International Microwave Symposium
/termine/international-microwave-symposium-1
Das FBH stellt Forschungsergebnisse aus der Mikrowellentechnik vor
Electronic Materials Conference
/termine/electronic-materials-conference
Annual forum on preparation and characterization of electronic materials
InP-Heterobipolarelektronik und InP-photonisch integrierte Schaltkreise
/termine/inp-heterobipolarelektronik-und-inp-photonisch-integrierte-schaltkreise
InP-Heterobipolarelektronik und InP-photonisch integrierte Schaltkreise Nils WeimannFerdinand-Braun-Institut, Berlin 01.06.2012
Konferenz Metallorganische Gasphasenepitaxie
/termine/konferenz-metallorganische-gasphasenepitaxie
Das FBH ist auf der internationalen Konferenz zu metallorganischer Gasphasenepitaxie (ICMOVPE) mit drei 3 Vorträgen vertreten.
Diodenlaser mit Trapezstruktur und hoher Brillanz für die Realisierung einer Frequenzkonversion auf einer mikro-optischen Bank
/termine/diodenlaser-mit-trapezstruktur-und-hoher-brillanz-fuer-die-realisierung-einer-frequenzkonversion-auf-einer-mikro-optischen-bank
Diodenlaser mit Trapezstruktur und hoher Brillanz für die Realisierung einer Frequenzkonversion auf einer mikro-optischen Bank Christian FiebigFerdinand-Braun-Institut, Berlin 25.05.2012
Anbieter von Simulationssoftware betrachten GaN-Transistoren aus dem FBH als Referenz
/media-center/medienschau/anbieter-von-simulationssoftware-betrachten-gan-transistoren-aus-dem-fbh-als-referenz
Nach dem Softwarehaus Synopsys präsentierte nun Silvaco ein Simulationsmodul, das einen selbstsperrenden GaN-Transistor beschreiben kann, der mit pGaN-Gate Technologie realisiert wurde.
Leistungssteigerung bei 380 nm UV-LEDs
/forschung/forschungsnews/leistungssteigerung-bei-380-nm-uv-leds
Bei oberflächenemittierenden UV-LEDs mit Emissionswellenlängen zwischen 360 und 380 nm für Sensorik-Anwendungen konnte die Effizienz durch Optimierungen in der Epitaxiestruktur deutlich erhöht…