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IWBGPEAW

/termine/iwbgpeaw

International Wide Bandgap Power Electronics Applications Workshop

CS MANTECH

/termine/cs-mantech

CS MANTECH Das FBH präsentierte auf der CS Mantech den Vortrag: "Iridium Plug Technology for AlGaN/GaN HEMT Short-Gate Fabrication"

Miniaturisiertes rot-emittierendes Lasermodul mit polarisationserhaltendem Faserausgang

/forschung/forschungsnews/miniaturisiertes-rot-emittierendes-lasermodul-mit-polarisationserhaltendem-faserausgang

Für Anwendungen, die sichtbares, kohärentes Licht benötigen (Holographie, Interferometrie) hat das FBH ein Lasermodul entwickelt, das künftig auch außerhalb einer Laborumgebung eingesetzt werden kann.

Sprachlose Roboter kündigen Digitalisierung an

/media-center/medienschau/sprachlose-roboter-kuendigen-digitalisierung-an

Die Bandbreite der Kunden und Anwender von Elektrotechnik und Elektronik ist extrem breit, doch sie alle durchleben gerade den Trend der Digitalisierung. Im kreisrunden Tempodrom in Berlin versuchte…

25 Jahre Forschungsverbund Berlin - schwieriger Neuanfang nach der Wende

/media-center/medienschau/25-jahre-forschungsverbund-berlin-schwieriger-neuanfang-nach-der-wende

Der Forschungsverbund Berlin ist ein sonderbares Konstrukt: Unter seinem Dach vereint er acht Wissenschaftsinstitute, die unterschiedlicher nicht sein könnten – und kümmert sich um deren Verwaltung.…

Single-ion microwave near-field quantum sensor

/termine/single-ion-microwave-near-field-quantum-sensor

Single-ion microwave near-field quantum sensor Prof. Dr. Christian OspelkausUni Hannover, Institute of Quantum Optics

Nonlinear Quantum Optics in SiN Microring Resonators

/termine/nonlinear-quantum-optics-in-sin-microring-resonators

Nonlinear Quantum Optics in SiN Microring Resonators Dr. Sven RamelowHU Berlin, Institut für Physik

A Drain-Lag Model for GaN HEMTs based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements

/forschung/forschungsnews/a-drain-lag-model-for-gan-hemts-based-on-chalmers-model-and-pulsed-s-parameter-measurements

Modeling the trapping effects of widely used GaN HEMTs remains a key issue. FBH's approach allows to derive an optimized set of parameters sensitive to trap states, enabling optimum large signal…

Failure mechanisms in high-power diode lasers: Wide-vs-narrow band gap materials

/media-center/medienschau/failure-mechanisms-in-high-power-diode-lasers-wide-vs-narrow-band-gap-materials

Failure mechanisms in high-power diode lasers: Wide-vs-narrow band gap materials Dr. Martin HempelPaul-Drude-Institut, Berlin

Diodenlaser in der Materialbearbeitung - Systeme, Verfahren, Anwendungen

/termine/diodenlaser-in-der-materialbearbeitung-systeme-verfahren-anwendungen

Das FBH ist mit dem Vortrag "Breitstreifenlaser hoher Strahldichte für inkohärentes und spektrales Multiplexing" vertreten